特許

J-GLOBAL ID：200903049343430714

半導体集積回路装置

発明者： 中村 和敏 ,  安原 紀夫 ,  末代 知子 ,  松下 憲一 ,  中川 明夫
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-366329
公開番号（公開出願番号）：特開2005-203766
出願日： 2004年12月17日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】DC-DCコンバータの寄生インダクタンス及び抵抗を低減し変換効率を向上できる半導体装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、ハイサイドスイッチング素子12、ドライバー回路11、及びローサイドスイッチング素子を有する。ハイサイドスイッチング素子12は、第1の半導体基板21上に形成され、その電流通路の一端に入力電圧が供給され、電流通路の他端がインダクタンスに接続されている。ドライバー回路11は、ハイサイドスイッチング素子12が形成された第1の半導体基板21上に形成され、ハイサイドスイッチング素子12を駆動する。ローサイドスイッチング素子は、第1の半導体基板21とは別の第2の半導体基板上に形成され、そのドレインにインダクタンスが接続され、ソースに基準電位が供給されている。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

第1の半導体基板上に形成され、電流通路の一端に入力電圧が供給され、前記電流通路の他端がインダクタンスに接続されたハイサイドスイッチング素子と、 前記ハイサイドスイッチング素子が形成された前記第1の半導体基板上に形成され、前記ハイサイドスイッチング素子を駆動するドライバー回路と、 前記第1の半導体基板とは別の第2の半導体基板上に形成され、ドレインにインダクタンスが接続され、ソースに基準電位が供給されたローサイドスイッチング素子と、 を具備することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H01L21/822 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/04 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/78 ,  H02M3/155

FI (10件)：

H01L27/04 A ,  H01L29/78 652N ,  H01L29/78 652Q ,  H01L29/78 653B ,  H01L29/78 656B ,  H02M3/155 H ,  H01L27/08 321A ,  H01L29/78 301D ,  H01L29/78 301X ,  H01L27/08 102A

Fターム (52件)：

5F038CA03 ,  5F038CA06 ,  5F038CA07 ,  5F038CA09 ,  5F038DF01 ,  5F038EZ20 ,  5F048AA05 ,  5F048AB08 ,  5F048AC03 ,  5F048AC06 ,  5F048BA01 ,  5F048BA12 ,  5F048BB02 ,  5F048BB05 ,  5F048BB14 ,  5F048BC01 ,  5F048BC02 ,  5F048BC03 ,  5F048BC07 ,  5F048BC12 ,  5F048BC18 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BD07 ,  5F048BE02 ,  5F048BE09 ,  5F048BF16 ,  5F048BF17 ,  5F048BF18 ,  5F048BG12 ,  5F048BH04 ,  5F048CB07 ,  5F140AB01 ,  5F140AC21 ,  5F140BF53 ,  5F140BH14 ,  5F140BH30 ,  5F140BH43 ,  5F140BH47 ,  5F140BJ23 ,  5F140CA01 ,  5F140CA06 ,  5F140CA10 ,  5F140CD02 ,  5F140CD08 ,  5H730AA14 ,  5H730CC28 ,  5H730DD04 ,  5H730DD12 ,  5H730DD16 ,  5H730DD28 ,  5H730FD38

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-007191   出願人：株式会社日立製作所
• 電力用半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-167561   出願人：株式会社日立製作所