集積型FET及びショットキー装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 青山正和 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-227165
公開番号（公開出願番号）：特開2005-057291
出願日： 2004年08月03日
公開日（公表日）： 2005年03月03日
要約：

【課題】共通のダイにショットキー装置及びMOSFETの両方を形成して含む半導体装置を提供することである。【解決手段】半導体装置は共通ダイに形成されたショットキー装置及びMOSFETのようなトレンチ型半導体スイッチング装置を含む【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体スイッチング装置及びショットキー装置が形成されたダイを備え、前記半導体スイッチング装置は複数のトレンチを含み、、各々のトレンチは一対の対向する側壁及び底部壁を含み、各々のトレンチは前記ダイの内部において前記ダイの最上面からドリフト領域まで延伸するものであり、第1の導電型のチャネル領域が前記ダイに形成されかつ前記トレンチの側壁に隣接して配置しており、ゲート絶縁層が各チャネル領域に隣接するトレンチの各側壁上に備えられ、導電ゲート材料が前記トレンチ内に含まれかつ前記ゲート絶縁層によって前記チャネル領域から絶縁され、前記チャネル領域の導電型に反対の第2の導電型の領域がそれぞれ各トレンチの側壁に備えられかつそれぞれが前記ダイの最上面から各チャネル領域まで延伸するものであり: 前記ショットキー装置は、前記ダイの最上面に配置されかつその最上面の一部にショットキー接触するショットキーバリアを含み、第1のコンタクトが前記ショットキーバリア及び前記第2の導電型の前記領域に接触するものである半導体装置。

IPC (5件)：

H01L21/8234 , H01L27/088 , H01L29/47 , H01L29/78 , H01L29/872

FI (5件)：

H01L27/08 102A , H01L29/78 652S , H01L29/78 653A , H01L29/78 656Z , H01L29/48 M

Fターム (29件)：

4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB03 , 4M104BB25 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104CC05 , 4M104DD37 , 4M104DD63 , 4M104DD78 , 4M104DD84 , 4M104GG03 , 4M104GG09 , 4M104GG14 , 4M104GG18 , 5F048AC06 , 5F048AC10 , 5F048BA02 , 5F048BA05 , 5F048BA06 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BD04 , 5F048BD07 , 5F048BF06 , 5F048BF16 , 5F048BG13 , 5F048BG14 , 5F048CB07

引用特許：

審査官引用 (7件)

半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-398857 出願人：株式会社東芝
モノリシック集積されたトレンチMOSFET及びショットキー・ダイオード
公報種別：公表公報出願番号：特願2000-601676 出願人：フェアチャイルドセミコンダクターコーポレイション
高耐電圧半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-394708 出願人：関西電力株式会社

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