特許
J-GLOBAL ID：200903028595425937
半導体素子の突起電極構造およびその形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 喜三郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-074006
公開番号（公開出願番号）：特開2000-269259
出願日： 1999年03月18日
公開日（公表日）： 2000年09月29日
要約：
【要約】【課題】実装の際に加圧による半導体素子又は基板の膜にダメージに与えないようにする。【解決手段】実装の際に加圧による半導体素子又は基板の膜にダメージに与えないようにするため、突起電極を構成するメッキ膜中に弾性のあるボールに金属を被覆した導電性ボールを含有させた。
請求項（抜粋）：
電極の周囲に絶縁膜が形成さた半導体素子の電極上に金属メッキ法により形成される突起電極において、該電極上の該突起電極を形成するメッキ金属中に弾性のあるボールに金属を被覆した導電性ボールと該メッキ金属の共存する層が形成されることを特徴とする半導体素子の突起電極構造。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L 21/92 604 B
, H01L 21/92 602 C
, H01L 23/12 L
