半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：岡田敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-014307
公開番号（公開出願番号）：特開平8-213361
出願日： 1995年01月31日
公開日（公表日）： 1996年08月20日
要約：

【要約】【目的】反射防止膜としてシリコン窒化膜を使用した半導体装置においてエッチング形状を良好に保つこと。【構成】シリコン窒化膜7を等方性エッチングする工程により少なくともフォトレジストパターンの側端から当該シリコン窒化膜7を後退させた状態で、タングステンシリサイド膜6を異方性エッチングする工程によりフォトレジストパターンの側端からタングステンシリサイド膜6の表面に達するように側壁保護膜9を形成させて、当該側壁保護膜9により前記シリコン窒化膜7を蓋した状態でエッチングを行う。これにより、エッチングガスと前記シリコン窒化膜7との反応による窒素イオンの発生が抑制されて、従来のように窒素イオンがフォトレジストや側壁保護膜9を削ることがなく、エッチング形状を良好に保てる。

請求項（抜粋）：

段差箇所が存在する絶縁膜上に金属膜から成る高反射率膜を全面に形成する工程と、前記高反射率膜上にシリコン窒化膜から成る反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜上にフォトレジストパターンを形成して該フォトレジストパターンをマスクとして前記高反射率膜を異方性エッチングする工程を有する半導体装置の製造方法において、少なくとも前記フォトレジストパターンの側端から前記反射防止膜を後退させるように該反射防止膜を等方性エッチングする工程と、前記高反射率膜を異方性エッチングする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , H01L 21/027

FI (4件)：

H01L 21/302 H , H01L 21/30 573 , H01L 21/30 574 , H01L 21/302 J

引用特許：

審査官引用 (11件)

特開平3-110846
特開平3-110846
ドライエッチング方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-223394 出願人：ソニー株式会社

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