特許
J-GLOBAL ID:200903028611456465

ワイアーボンディング性およびダイボンディング性に優れた銅及び銅基合金とその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 浅賀 一樹
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-124698
公開番号(公開出願番号):特開2000-273560
出願日: 1999年03月26日
公開日(公表日): 2000年10月03日
要約:
【要約】【課題】 半導体機器のリードフレーム材用銅及び銅基合金に、チップを搭載(ダイボンディング)する際に、フラックスを使用せずに直接チップをはんだ接合し(ベアダイボンディング)、かつワイヤーボンディング用リード線を直接リードフレーム材に接合する(ベアワイアーボンディング)ことを可能とするワイアーボンディング性およびダイボンディング性に優れた銅及び銅基合金とその製造方法を提案する。【解決手段】 結晶粒径が10μm以上150μm以下であり、中心線平均粗さ(Ra)が0.15μm以下であり、さらに酸化皮膜厚さが6nm以下であることを特徴とするワイアーボンディング性およびダイボンディング性に優れた銅及び銅基合金とその製造方法。
請求項(抜粋):
結晶粒径が10μm以上150μm以下であり、中心線平均粗さ(Ra)が0.15μm以下であり、さらに酸化皮膜厚さが6nm以下であることを特徴とするワイアーボンディング性およびダイボンディング性に優れた銅及び銅基合金。
IPC (14件):
C22C 9/00 ,  C22C 9/01 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/04 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/06 ,  C22C 9/08 ,  C22C 9/10 ,  C22F 1/00 614 ,  C22F 1/00 623 ,  C22F 1/00 661 ,  C22F 1/00 691 ,  C22F 1/00 ,  C22F 1/08
FI (14件):
C22C 9/00 ,  C22C 9/01 ,  C22C 9/02 ,  C22C 9/04 ,  C22C 9/05 ,  C22C 9/06 ,  C22C 9/08 ,  C22C 9/10 ,  C22F 1/00 614 ,  C22F 1/00 623 ,  C22F 1/00 661 A ,  C22F 1/00 691 B ,  C22F 1/00 691 C ,  C22F 1/08 B
引用特許:
審査官引用 (3件)

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