過電流保護回路

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：下田容一郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-018106
公開番号（公開出願番号）：特開平6-209519
出願日： 1993年01月08日
公開日（公表日）： 1994年07月26日
要約：

【要約】【目的】 IGBTの素子温度に応じて保護回路を作動させるしきい値を変化させること。【構成】 IGBT2のケース2aの温度(素子温度)を検出するサーミスタ3と、保護回路を作動させるしきい値となる所定のコレクタ・エミッタ間飽和電圧データを書込んだメモリ6と、サーミスタ3とメモリ6のデータに従ってこの飽和電圧データを補正するマイコン5と、コレクタ・エミッタ間電圧とマイコン5から出力された補正後の飽和電圧データとを比較するコンパレータ8と、このコンパレータ8から出力される一致信号でドライブ入力を遮断するスイッチング回路9とで過電流保護回路1を構成した。この構成によれば、素子温度に基づいてコレクタ・エミッタ間飽和電圧が補正されるのでしきい値の精度が向上し、IGBTを効率良く保護することができる。

請求項（抜粋）：

IGBTのコレクタ・エミッタ間電圧を検出する電圧検出手段と、前記IGBTの素子温度を検出する温度検出手段と、検出された温度に基づいて所定のコレクタ・エミッタ間電圧データを補正する電圧補正手段と、前記電圧検出手段の出力信号と前記電圧補正手段の出力信号とを比較する比較手段と、この比較手段から出力された一致信号に基づいて前記IGBTのゲート入力信号を制限する信号制限手段とを設けたことを特徴とする過電流保護回路。

IPC (3件)：

H02H 7/12 , G05F 1/56 320 , G05F 1/56

引用特許：

出願人引用 (8件)

特開平1-111219
特開平1-181474
特開平2-164269

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審査官引用 (13件)

特開平1-181474
特開平1-181474
特開平1-111219

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