特許
J-GLOBAL ID:200903028680220520

スイツチ回路

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 田辺 恵基
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-027309
公開番号(公開出願番号):特開平8-204530
出願日: 1995年01月23日
公開日(公表日): 1996年08月09日
要約:
【要約】【目的】本発明は低挿入損失とアイソレーシヨンを所望の周波数において同時に確保できるスイツチ回路を実現する。【構成】スイツチ用集積回路に内蔵されている電界効果トランジスタのドレイン-ソース間に対して並列にインダクタを外部接続し、当該インダクタと電界効果トランジスタのオフ容量とを並列共振させる。このときインダクタンスを調整することにより所望の周波数において低挿入損失と十分なアイソレーシヨンを同時に確保する。
請求項(抜粋):
ドレイン-ソース間を信号通路とする電界効果トランジスタと、上記電界効果トランジスタのゲート端子に接続された高インピーダンス素子と、上記電界効果トランジスタのドレイン端子およびソース端子に接続される第1及び第2の入出力端子とを備えるスイツチ用集積回路と、上記スイツチ用集積回路の外部に設けられ、上記第1及び第2の入出力端子間を接続するインダクタとを具えることを特徴とするスイツチ回路。
IPC (3件):
H03K 17/687 ,  H03K 17/693 ,  H04B 1/40
引用特許:
審査官引用 (9件)
  • 高周波スイッチ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平6-096057   出願人:株式会社日立製作所
  • 特開昭50-038474
  • 4ポールモノリシックGaAs PINダイオードスイッチ
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-071656   出願人:テキサスインスツルメンツインコーポレイテツド
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