特許
J-GLOBAL ID：200903028717706258

ドーピングされた半導体ヘテロ接合電極を有する太陽電池

発明者：
カズンズ,ピーター,ジョン

カズンズ,ピーター,ジョン について


出願人/特許権者：
サンパワー コーポレイション

サンパワー コーポレイション について


代理人 (3件)： 古谷 聡 ,  溝部 孝彦 ,  西山 清春
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-509552
公開番号（公開出願番号）：特表2009-535845
出願日： 2007年02月09日
公開日（公表日）： 2009年10月01日
要約：
シリコン太陽電池は、シリコン基板の表面におけるトンネルシリコン酸化物層上に形成されたドープドアモルファスシリコン電極を有する。太陽電池の製造において、高温処理が不要である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
a)第1及び第2の対向する主面を有する半導体の本体と、 b)前記第1の表面上の第1の誘電体層、及び前記第2の表面上にあり、トンネル酸化物からなる第2の誘電体層と、 c)前記第2の表面における前記トンネル酸化物上の第1のパターンのアクセプタドープド半導体材料、及び前記第2の表面における前記トンネル酸化物上にあり、前記第1のパターンと交互配置されている第2のパターンのドナードープド半導体材料と、 d)前記アクセプタドープド半導体材料を相互接続する第1の導電性パターン、及び前記ドナードープド半導体材料を相互接続する第2の導電性パターンとを含む、太陽電池。
IPC (1件)：
H01L 31/04
FI (1件)：
H01L31/04 H
Fターム (7件)：
5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051DA07 ,  5F051FA08 ,  5F051FA15 ,  5F051GA04 ,  5F051GA14
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (4件)
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