特許

J-GLOBAL ID：200903028725382402

絶縁ゲート型半導体装置

発明者： 中野 安紀 ,  清水 喜輝 ,  河野 恭彦
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-224739
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088354
出願日： 1994年09月20日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】本発明は、高耐圧でかつ信頼性の高い絶縁ゲート型半導体装置を提供することを目的とする。【構成】半導体基板における電界緩和領域の表面上にツェナーダイオードを設け、このツェナーダイオードをゲート電極とドレイン電極の間に接続する。【効果】本発明によれば、ツェナーダイオードは電界緩和領域上に設けるので、ツェナーダイオードに費やす素子面積のロスがなく、半導体装置のオン特性を犠牲にすることがない。

請求項（抜粋）：

同一半導体基板において、一対の主電極と絶縁ゲート電極を設けた動作領域と、動作領域に隣接する電界緩和領域と、を備え、電界緩和領域の表面に形成する絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ、一主電極と絶縁ゲート電極の間に接続されるツェナーダイオードと、を有することを特徴とする絶縁ゲート型半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 絶縁分離形半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-225565   出願人：日本電装株式会社
• 特開平3-038881
  
• 縦型半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-013835   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所