プルトニウムダストモニタ用半導体α線検出素子及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者： , , , , , , , , , , ,
代理人 (3件)：篠部正治 , 山口巖 , 篠部正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-033443
公開番号（公開出願番号）：特開平10-227864
出願日： 1997年02月18日
公開日（公表日）： 1998年08月25日
要約：

【要約】【課題】1(DAC)hr の感度をもち、ラドン・トロン娘核種では誤動作せず、化学的及び機械的に強い、Puダストモニタ用半導体α線検出素子を実現する。【解決手段】例えば、p形単結晶シリコン93の一方の表面に非晶質シリコン膜95が形成され、非晶質シリコン膜上に上部電極96が、反対面には下部電極97が形成されている、ダイオード構造をもつ半導体α線検出素子91において、上部電極96の大部分を覆って、表面保護膜としての、 0.6から0.1mg/cm2 相当の厚さをもつ無機質(図1の場合は、酸化シリコン)膜99が形成されている。厚さの上限は、ラドン・トロン娘核種とプルトニウムの弁別可能の限界から、下限は化学的及び機械的耐性の限界から決められている。無機質膜の形成には、ECRプラズマCVDが最適であり、無機質としては酸化Siあるいは窒化Siが最適である。

請求項（抜粋）：

環境中に含まれるダストをフィルタ上に捕集し、そのダストから放射される特定のエネルギー領域のα線を計測することによって、環境のプルトニウムによる汚染状況を監視あるいは計測をするプルトニウムダストモニタに用いられる、ダイオード構造を有する半導体α線検出素子であって、フィルタに対向している、半導体α線検出素子の表面に、0.6mg/cm2 から0.1mg/cm2 に相当する厚さの無機質からなる保護膜が形成されていることを特徴とするプルトニウムダストモニタ用半導体α線検出素子。

IPC (2件)：

G01T 1/167 , G01T 1/24

FI (2件)：

G01T 1/167 B , G01T 1/24

引用特許：

出願人引用 (9件)

半導体放射線検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-268994 出願人：富士電機株式会社
α線ダストモニタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-162142 出願人：富士電機株式会社
放射線モニタ装置及び自然放射線算出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-042374 出願人：株式会社東芝

全件表示

審査官引用 (9件)

半導体放射線検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-268994 出願人：富士電機株式会社
α線ダストモニタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-162142 出願人：富士電機株式会社
放射線モニタ装置及び自然放射線算出方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-042374 出願人：株式会社東芝

全件表示

前のページに戻る