特許
J-GLOBAL ID：200903028795374970

半導体レーザ装置

発明者：
塩本 武弘

塩本 武弘 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-110431
公開番号（公開出願番号）：特開2003-304022
出願日： 2002年04月12日
公開日（公表日）： 2003年10月24日
要約：
【要約】【課題】 ステムの製造コストを低減できて、しかもレーザ素子の寿命特性や温度特性が低下するのを阻止できる半導体レーザ装置を提供する。【解決手段】 半導体レーザ装置は、レーザチップ1と、このレーザチップ1を搭載するブロック部2aを有するステム2と、ブロック部2aを覆うようにステム2に取り付けられたキャップ4とを備えている。ブロック部2aの一部が入る切り欠き部4bをキャップ4に設けている。これにより、ブロック部2aを拡大できるので、例えば鍛造によりブロック部2aとステム2とを一体に形成して、ステム2の製造コストを低減することができる。
請求項（抜粋）：
レーザ素子と、このレーザ素子を搭載するブロック部を有するステムと、上記ブロック部を覆うように上記ステムに取り付けられたキャップとを備えた半導体レーザ装置において、上記キャップに、上記ブロック部の一部が入る切り欠き部を設けたことを特徴とする半導体レーザ装置。
Fターム (3件)：
5F073FA06 ,  5F073FA16 ,  5F073FA30
引用特許：
審査官引用 (4件)
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