特許
J-GLOBAL ID：200903028825436151

窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法

発明者：
酒井 士郎

酒井 士郎 について

, 
タオ ワン

タオ ワン について


出願人/特許権者：
酒井 士郎

酒井 士郎 について


代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-227963
公開番号（公開出願番号）：特開2001-244207
出願日： 2000年06月22日
公開日（公表日）： 2001年09月07日
要約：
【要約】【課題】 結晶性に優れた窒化ガリウム系化合物半導体を製造する。【解決手段】 基板10上にSiNバッファ体12を離散的に形成し、その上に低温でGaNバッファ層14、高温でGaN半導体層16を形成する。SiNバッファ体12を離散的に形成することで、低温バッファ層14の基板に依存した結晶成長を阻害し、GaNバッファ層16成長時の種結晶となる単結晶化を促進する。
請求項（抜粋）：
基板上にバッファ層を低温で成長させ、さらに前記バッファ層上に窒化ガリウム系化合物半導体を形成する窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法において、前記バッファ層の形成に先立ち、前記基板上に離散的にバッファ体を形成することを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00
FI (2件)：
H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C
Fターム (23件)：
5F041AA40 ,  5F041CA33 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA65 ,  5F045AB04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB33 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AD08 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045BB16 ,  5F045CA09 ,  5F045CB02 ,  5F045DA53 ,  5F045DB02
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM