特許

J-GLOBAL ID：200903028852622447

ポジ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

発明者： 林 亮太郎 ,  岩井 武
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-182298
公開番号（公開出願番号）：特開2006-003781
出願日： 2004年06月21日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】 サーマルフロープロセスにおいて、パターン制御性が良好な技術を提供する。【解決手段】(A)酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大するベース樹脂成分、及び(B)放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分を含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記(A)成分は、193nmにおける吸光度が1.0(1/μm)以下であり、分散度(Mw/Mn)が1.5以下である樹脂を含み、かつ 当該ポジ型レジスト組成物が、サーマルフロープロセス用であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(A)酸解離性溶解抑制基を有し、酸の作用によりアルカリ可溶性が増大するベース樹脂成分、及び(B)放射線の照射により酸を発生する酸発生剤成分を含有するポジ型レジスト組成物であって、 前記(A)成分は、193nmにおける吸光度が1.0(1/μm)以下であり、分散度(Mw/Mn)が1.5以下の樹脂を含み、かつ 当該ポジ型レジスト組成物が、サーマルフロープロセス用であることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F 7/039 ,  C08F 20/10 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/40 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

G03F7/039 601 ,  C08F20/10 ,  G03F7/033 ,  G03F7/40 511 ,  H01L21/30 502R

Fターム (45件)：

2H025AA01 ,  2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB43 ,  2H025CB45 ,  2H025CB51 ,  2H025CB56 ,  2H025CB60 ,  2H025FA17 ,  2H025FA29 ,  2H025FA33 ,  2H096AA25 ,  2H096BA11 ,  2H096EA03 ,  2H096EA04 ,  2H096GA08 ,  2H096HA05 ,  4J100AL08P ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100BA03R ,  4J100BA11Q ,  4J100BA20P ,  4J100BC09P ,  4J100BC09R ,  4J100BC12P ,  4J100BC53Q ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA25 ,  4J100DA65 ,  4J100JA01 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 厨房家具の収納装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-365759   出願人：クリナップ株式会社
• レジストマ-ク及びそれを用いた半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-362716   出願人：沖電気工業株式会社
• レジスト組成物とこれを用いた微細パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-121479   出願人：三星電子株式会社