特許
J-GLOBAL ID：200903001650500395
レジスト組成物とこれを用いた微細パターン形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-121479
公開番号（公開出願番号）：特開2000-356850
出願日： 2000年04月21日
公開日（公表日）： 2000年12月26日
要約：
【要約】【課題】 フォトレジストパターンに形成された開口部サイズを1回の熱的フロー工程だけで充分に希望のサイズに縮少でき、しかもフロー工程時前記フォトレジストパターンの垂直プロファイルの変形を最小化しながらフロー速度を容易に制御できるレジスト組成物とこれを用いた微細パターン形成方法を提供すること。【解決手段】 本発明のレジスト組成物は、フォトリソグラフィ工程によってフォトレジストパターンを形成するのに用いられるレジスト溶液と、このレジスト溶液のガラス転移温度または軟化開始温度以上の温度での熱処理によって前記レジスト溶液の部分的架橋反応を引き起こせる架橋剤とが混合されて構成される。
請求項（抜粋）：
フォトリソグラフィ工程によってフォトレジストパターンを形成するのに用いられるレジスト溶液と、このレジスト溶液のガラス転移温度または軟化開始温度以上の温度での熱処理によって前記レジスト溶液の部分的な架橋反応を引き起こせる架橋剤とが混合されて構成されることを特徴とするレジスト組成物。
IPC (12件)：
G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503
, C08K 5/00
, C08K 5/06
, C08K 5/14
, C08K 5/16
, C08K 5/23
, C08L 61/04
, G03F 7/023 511
, G03F 7/039 601
, G03F 7/40 501
, H01L 21/027
G03F 7/004 501
, G03F 7/004 503 A
, C08K 5/00
, C08K 5/06
, C08K 5/14
, C08K 5/16
, C08K 5/23
, C08L 61/04
, G03F 7/023 511
, G03F 7/039 601
, G03F 7/40 501
, H01L 21/30 502 R
, H01L 21/30 566
