特許
J-GLOBAL ID：200903028870310541
アニーリング装置及び単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-269412
公開番号（公開出願番号）：特開2003-081700
出願日： 2001年09月05日
公開日（公表日）： 2003年03月19日
要約：
【要約】【課題】 使用時に単結晶における空孔の発生を抑制し、結晶表面にクロム原子が付着することのない高品質な単結晶のアニーリング装置及び、熱処理工程を含む単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 真空容器1と、加熱装置2と、真空容器1の上部に蓋3とを備えるアニーリング装置において真空容器1の内部にアニーリングケース5を配置し、さらにアニーリングケース5の内部に支持部材4によって保持されたフッ化カルシウム単結晶6と、フッ化物結晶7とを配置する。アニーリングを行う際に、アニーリングケース5がフッ化カルシウム単結晶6及びフッ化物結晶7を真空容器1の内部表面から遮蔽するため、真空容器1の内部表面から飛散するクロム原子からフッ化カルシウム単結晶6を保護できる。また、フッ化物結晶7から気化したフッ素をアニーリングケース5内部に閉じこめるため、フッ化カルシウム単結晶6に空孔が生ずるのを抑制できる。
請求項（抜粋）：
単結晶を収納する真空容器と、該真空容器の周囲に配置された加熱装置と、前記真空容器内部を真空化する排気系とを備え、真空容器内部に前記単結晶から脱離する元素を構成元素に有する化合物を配置して、前記単結晶に対して熱処理を行うアニーリング装置において、前記単結晶及び前記結晶が収蔵されて、密閉された空間を画成するアニーリングケースを前記真空容器の内部に備えることを特徴とするアニーリング装置。
IPC (3件)：
C30B 33/02
, C30B 29/12
, F27B 5/10
C30B 33/02
, C30B 29/12
, F27B 5/10
4G077AA02
, 4G077BE02
, 4G077FE06
, 4K061AA01
, 4K061BA02
, 4K061CA08
, 4K061FA12
