特許
J-GLOBAL ID：200903028879197454

均一な薄膜を最小限のエッジ除外で基板上へ電着する方法および装置

発明者：
ベイソル、ブーレン・エム

ベイソル、ブーレン・エム について

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ウゾー、シプリアン

ウゾー、シプリアン について

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タリエー、ハマヨウン

タリエー、ハマヨウン について


出願人/特許権者：
ナトゥール・インコーポレイテッド

ナトゥール・インコーポレイテッド について


代理人 (4件)： 鈴江 武彦 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎 ,  白根 俊郎
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-558562
公開番号（公開出願番号）：特表2005-501963
出願日： 2001年11月02日
公開日（公表日）： 2005年01月20日
要約：
【課題】エッジ除外問題を最小限にして均一な導電薄膜を堆積させる電着システムを提供する。【解決手段】材料をウェハー表面上へ堆積させるためのシステムであって、アノード、成形プレート、アノードとウェハー表面との間に収容される電解液、ウェハー表面上の選択された位置に接触する電気コンタクトを備えるシステム。成形プレートはアノードとウェハー表面との間に支持される。成形プレートは、ウェハー表面をアノードと流体連絡させる複数の経路を有する。堆積プロセスは成形プレートを通して進行する。成形プレートの上面は、ウェハー表面の面積よりも実質的に大きい。電気コンタクト部材は、ウェハー表面上の選択された位置に接触する。ウェハーが回転すると、選択されたコンタクト位置が成形プレート上を移動して印加電位の下でメッキされる。
請求項（抜粋）：
材料を、最大横方向寸法を有するウェハー表面へ堆積させる装置であって、 周囲のエッジで終わる周囲壁によって規定されるキャビティ内に配置されるアノード(ウェハーは周囲エッジ上方に、ウェハー表面がキャビティに面するように支持され、周囲エッジの横方向寸法は、ウェハーの最大横方向寸法よりも大きい)と、 キャビティに周囲エッジまで充填されて、ウェハー表面の第1領域に常に接触する電解液と、 ウェハーが回転するときに電解液に断続的に接触するウェハー表面の第2領域に、キャビティの周囲壁付近の位置で接触する電気コンタクト部材と を備えることを特徴とする装置。
IPC (5件)：
C25D7/12 ,  C25D17/00 ,  C25D17/08 ,  C25D21/00 ,  H01L21/288
FI (6件)：
C25D7/12 ,  C25D17/00 B ,  C25D17/00 K ,  C25D17/08 Q ,  C25D21/00 Z ,  H01L21/288 E
Fターム (24件)：
4K024AA03 ,  4K024AA09 ,  4K024AA11 ,  4K024AA12 ,  4K024AA14 ,  4K024AA24 ,  4K024AB01 ,  4K024AB06 ,  4K024BA11 ,  4K024BB12 ,  4K024BC10 ,  4K024CB02 ,  4K024CB11 ,  4K024CB21 ,  4K024CB26 ,  4K024GA02 ,  4K024GA16 ,  4M104AA01 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104DD52
引用特許：
審査官引用 (2件)

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