特許
J-GLOBAL ID：200903028936063826
半導体製造装置の監視方法及びその制御方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小原 肇
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-233438
公開番号（公開出願番号）：特開2003-045846
出願日： 2001年08月01日
公開日（公表日）： 2003年02月14日
要約：
【要約】【課題】 オペレータが過去の蓄積処理データに基づいて経験と勘によってウエハ処理の監視、制御用のセンサの上下限値を安全サイドに設定するため、装置の制御域が狭く、しかも、本来は仕様に則った良品デバイスを製造できる制御域であるにも拘わらず、センサの検出値が設定範囲を超え易く運転時間が短くなる。また、例えば複数のセンサを介して得られた複数の検出データの統計的処理を行ってプラズマ処理特性を予測し、この予測値に基づいてプラズマの状態の正常、異常を判断しているため、プラズマの状態を予測し得ても、そのプラズマ状態でウエハを正常に処理し得るか否かが必ずしも明確ではない。【解決手段】 本発明の半導体製造装置の監視、制御方法は、試用ウエハWをプラズマ処理装置10を用いてエッチングし、処理後の試用ウエハWが期待構造を満足するか否かを判定し、期待構造を満足する時の複数のセンサの検出データを許容検出データとして含む変動許容範囲群を作成し、この変動許容範囲群に基づいてプラズマ処理装置10を監視し、制御する。
請求項（抜粋）：
半導体製造装置の複数の装置パラメータを上記半導体製造装置に設定し、被処理体に所定の半導体素子を製造する際に、予め作成された上記半導体製造装置の複数のセンサの検出データの変動許容範囲群に基づいて上記半導体製造装置を監視する方法であって、上記変動許容範囲群を作成する工程は、上記被処理体の仕様と上記半導体素子の期待仕様と上記半導体製造装置の特性に基づいて上記期待仕様を満足する上記複数の装置パラメータそれぞれの変動許容範囲を求める工程と、上記複数の装置パラメータを上記変動許容範囲内でそれぞれ変化させて試用の被処理体を処理する工程と、上記試用の被処理体を処理する際に、上記半導体製造装置の少なくとも一つの追加センサを含む複数のセンサからそれぞれの少なくとも一種類の検出データを収集する工程と、上記期待仕様を満足する検出データのみからなる上記複数のセンサからの検出データの変動許容範囲群を作成する工程とを備えたことを特徴とする半導体製造装置の監視方法。
Fターム (7件)：
5F004AA16
, 5F004BB13
, 5F004BB22
, 5F004CB02
, 5F004CB05
, 5F004CB12
, 5F004CB15
