特許
J-GLOBAL ID：200903081973864926

半導体製造方法とそのための電子コントロールカード,半導体製造装置及び半導体検査装置

発明者：
角田 茂

角田 茂 について

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佐々木 新治

佐々木 新治 について

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郷 直樹

郷 直樹 について

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阿南 秀利

阿南 秀利 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 武 顕次郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-151421
公開番号（公開出願番号）：特開平11-345752
出願日： 1998年06月01日
公開日（公表日）： 1999年12月14日
要約：
【要約】【課題】 プロセス異常に気づかずに不良品を作り込むことを防止可能とする。【解決手段】 半導体製造装置1は、ウエハの処理中、この処理に関する装置パラメータをデータ処理装置2に送る。データ処理装置2では、これまでの装置パラメータや半導体検査装置3の検査結果から求めた良品取得確率分布関数f0が保持されており、送られてきた装置パラメータと確率分布関数f0とを照合して製造装置1で処理されているウエハの異常発生確率を求め、これに応じてこのウエハの検査装置3での検査方法や検査の優先順位を決めるとともに、異常発生確率が高い場合、製造装置1の表示装置に警報や対策指示を与えたり、想定される不良の種類によりウェハ面内またはロット内の検査数やレシピを変える指示を出す。そして、検査装置3から検査結果があると、この検査結果に基づいて確率分布関数f0を修正し、次に処理されるウエハの異常発生確率の決定に用いる。
請求項（抜粋）：
半導体製造装置と、該半導体製造装置で処理されたウェハやロットを検査する半導体検査装置と、該半導体製造装置及び該半導体検査装置との通信によってウェハやロットの処理中の該半導体製造装置の装置パラメータと該ウェハや該ロットの検査結果を収集・蓄積し両者の相関関数を扱うデータ処理装置とからなるシステムを用いた半導体製造方法であって、該データ処理装置が、該半導体製造装置から得られた該装置パラメータを該相関関数に照らして、該半導体製造装置で処理中の該ウエハやロットが統計的に不良品になる確率が高い場合、該半導体製造装置の表示装置に該ウェハや該ロットの処理中または処理終了後に警報や対策指示を与えることを特徴とした半導体製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/02 ,  H01L 21/66
FI (2件)：
H01L 21/02 Z ,  H01L 21/66 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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