特許
J-GLOBAL ID：200903028946620413
整流装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
村上 啓吾
, 大岩 増雄
, 児玉 俊英
, 竹中 岑生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-023849
公開番号（公開出願番号）：特開2008-193283
出願日： 2007年02月02日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：
【課題】導通時の損失が低減されたMOSFETを用いた整流装置で、2端子のダイオードとの置き換えが容易であると共に、MOSFETのオン時に連続して駆動電圧を生成してMOSFETのオン動作が継続できる構造を提供する。【解決手段】寄生ダイオードを内蔵したMOSFETS1のソース・ドレイン間の導通電圧を所定の電圧まで昇圧する昇圧回路2と、昇圧回路2の出力電圧で動作するゲート制御回路1を備え、昇圧回路2の出力電圧は電源切替回路3により昇圧回路2の電源電圧として供給される。MOSFETS1はドレイン電極を電位基準として回路構成し、昇圧回路2は、ドレイン電極を電位基準とした正のソース・ドレイン電圧を昇圧し、MOSFETS1のドレイン・ゲート間に正の駆動電圧が印加される。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
外部端子を陽極端子と陰極端子との2端子とした整流装置において、
ソース・ドレイン間に寄生ダイオードが内蔵され、ドレイン電極を上記陰極端子に接続しソース電極を上記陽極端子に接続したnチャネル型MOSFETと、上記2端子間が導通時に上記MOSFETのソース・ドレイン間の電圧を所定の電圧に昇圧する昇圧回路と、該昇圧回路の出力を電源として上記2端子間の電圧に応じて上記MOSFETの上記ゲート電極に駆動信号を出力する駆動制御回路とを備え、
上記昇圧回路は、入出力電圧に上記MOSFETのドレイン電極を電位基準とした正の電圧を扱い、上記MOSFETは上記ドレイン電極を電位基準とした正の電圧による上記駆動信号にて動作することを特徴とする整流装置。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H03K17/687 G
, H03K17/687 A
, H03K17/74 Z
5J050AA06
, 5J050BB04
, 5J050CC02
, 5J050DD01
, 5J050DD08
, 5J050EE02
, 5J050EE13
, 5J050EE22
, 5J050EE25
, 5J050EE35
, 5J050FF26
, 5J055AX06
, 5J055BX16
, 5J055BX17
, 5J055CX19
, 5J055DX22
, 5J055DX61
, 5J055DX72
, 5J055EX02
, 5J055EX06
, 5J055EX07
, 5J055EY01
, 5J055EY05
, 5J055EY10
, 5J055EY12
, 5J055EY13
, 5J055EY17
, 5J055EY21
, 5J055EZ10
, 5J055EZ18
, 5J055EZ54
, 5J055EZ67
, 5J055FX05
, 5J055FX18
, 5J055FX37
, 5J055FX38
, 5J055GX01
, 5J055GX02
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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