特許
J-GLOBAL ID：200903028960858007

ZnOフィルム及びこれを用いたTFTの製造方法

発明者：
徐 五 權

徐 五 權 について

, 
▲ジョ▼ 重 烈

▲ジョ▼ 重 烈 について


出願人/特許権者：
三星電子株式会社

三星電子株式会社 について

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亞洲大學校産學協力團

亞洲大學校産學協力團 について


代理人 (3件)： 小野 由己男 ,  稲積 朋子 ,  堀川 かおり
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-002964
公開番号（公開出願番号）：特開2007-194628
出願日： 2007年01月11日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】低温ZnO多結晶フィルム及びこれを用いたTFTの製造方法を提供する。【解決手段】MOCVDによって第1の温度で第1の時間の間基板にZnOを成長させてZnOバッファ層を形成する工程と、第1の温度より低い温度で基板を加熱し、第1の時間より長い第2の時間の間バッファ層上にZnOを成長させてZnOフィルムを形成する工程とを含む低温ZnO多結晶フィルムの製造方法である。これにより、200°C低温でも実用的な良質のZnOフィルムを成長でき、従って熱に弱い基板、例えば、プラスチック基板に形成することができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
MOCVDによって第1の温度で第1の時間の間基板にZnOを成長させてZnOバッファ層を形成する工程と、 前記第1の温度より低い温度で基板を加熱し、前記第1の時間より長い第2の時間の間前記バッファ層上にZnOを成長させてZnOフィルムを形成する工程とを含むことを特徴とするZnOフィルムの製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/365 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  H01L 21/02 ,  H01L 27/12 ,  H01L 21/762 ,  H01L 21/76
FI (6件)：
H01L21/365 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A ,  H01L27/12 E ,  H01L21/76 D ,  H01L21/76 E
Fターム (41件)：
5F032AA09 ,  5F032AA91 ,  5F032CA05 ,  5F032CA09 ,  5F032CA17 ,  5F032DA02 ,  5F045AA04 ,  5F045AB22 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AC15 ,  5F045AD06 ,  5F045AD07 ,  5F045AE29 ,  5F045AF06 ,  5F045AF07 ,  5F045BB07 ,  5F045CA15 ,  5F045DA53 ,  5F045EE03 ,  5F045EE12 ,  5F045GB11 ,  5F045GB12 ,  5F110AA17 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG19 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG33 ,  5F110GG44 ,  5F110HK03
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 米国特許第6,808,743号明細書
  • 米国特許第6,664,565号明細書
審査官引用 (2件)

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