薄型高感度ホール素子とその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：谷義一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-284958
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121830
出願日： 1997年10月17日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】高さの制限を克服して超薄型でかつ感度の高いホール素子を実現すること、およびそのためのホール素子の製造方法を提供する。【解決手段】ホール素子の作製工程は、高透磁率磁性体基板2の表面に半導体薄膜3を形成する工程、半導体薄膜3の所定部分を感磁部3aと4つの電極部3cにパターニングする工程、高透磁率磁性体基板の裏面を0.2mm以下の厚さに研磨する工程、および感磁部に直方体状の高透磁率磁性体チップ4を載置する工程を有する。

請求項（抜粋）：

高透磁率磁性体基板の表面に4つの電極部と感磁部とを有する半導体薄膜が形成され、さらに前記感磁部に磁気集束用磁性体チップが載置された構造の半導体装置を有し、前記高透磁率磁性体基板の裏面が金属リードフレームのアイランド部に接着剤によって固定されているホール素子において、前記4つの電極部は前記金属フレームと金属細線によって結線され、前記半導体装置、前記金属細線および前記金属フレームは樹脂によってモールドされ、前記金属フレームの厚さは50μm以上であり、前記高透磁率磁性体基板の厚さと前記磁気集束用磁性体チップの厚さの和は0.3mm以下であり、前記モールド樹脂の全体の高さが0.6mm以下であり、かつ入力電圧1Vで、0.05Tの磁束密度中におけるホール出力が100mV以上であることを特徴とする薄型高感度ホール素子。

IPC (4件)：

H01L 43/06 , H01L 21/60 301 , H01L 43/04 , H01L 43/14

FI (4件)：

H01L 43/06 S , H01L 21/60 301 B , H01L 43/04 , H01L 43/14

引用特許：

審査官引用 (5件)

磁気センサ装置及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-317918 出願人：松下電子工業株式会社
特開昭57-173934
特開平4-113684

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