半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：酒井昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-041840
公開番号（公開出願番号）：特開2004-253576
出願日： 2003年02月19日
公開日（公表日）： 2004年09月09日
要約：

【課題】半導体装置の製造方法において、半導体層にトレンチ等の凹部を形成した後に、等方性ドライエッチングをおこなうことにより、凹部の側面と底面との境界となる角部を丸めること。【解決手段】半導体層の表面層に、異方性エッチングによりトレンチ等を形成した後、半導体層を50〜150°Cの温度に保持した状態で、半導体層と反応して露出面に保護膜を堆積するための、CF4ガスおよびO2ガスを含む混合ガスを用いて、等方性ドライエッチングをおこなう。これによって、エッチング中に、トレンチ等の凹部の終端部では、その側面と底面との境界となる角部に堆積する保護膜の量が減り、エッチングガス中の化学種のラジカルによって等方性エッチングが促進される。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

半導体層の表面層に凹部を形成するための異方性エッチングをおこなう工程と、少なくとも、前記半導体層を等方性エッチングするための第1のガス、および前記半導体層と反応して露出面に保護膜を堆積するための第2のガスを含む混合ガスを用いて、前記半導体層を50°C以上の温度に保持しながら等方性ドライエッチングをおこなう工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L21/3065 , H01L21/336 , H01L29/78

FI (5件)：

H01L21/302 105A , H01L29/78 653A , H01L29/78 655Z , H01L29/78 301V , H01L29/78 658G

Fターム (40件)：

5F004AA16 , 5F004CA02 , 5F004CA03 , 5F004CA04 , 5F004DA00 , 5F004DA01 , 5F004DA26 , 5F004DB01 , 5F004DB19 , 5F004DB20 , 5F004EA13 , 5F004EA37 , 5F004EB08 , 5F140AA25 , 5F140AC21 , 5F140AC23 , 5F140AC24 , 5F140BA01 , 5F140BA02 , 5F140BA06 , 5F140BA07 , 5F140BA16 , 5F140BB04 , 5F140BC06 , 5F140BE03 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF42 , 5F140BF43 , 5F140BF54 , 5F140BG24 , 5F140BH04 , 5F140BH05 , 5F140BH14 , 5F140BH30 , 5F140BJ01 , 5F140BJ04 , 5F140BJ28 , 5F140BK09 , 5F140BK13

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置の製造方法及び絶縁ゲート型パワー素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-051318 出願人：株式会社デンソー
SON構造をもつ基板を作製する方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-126684 出願人：信越半導体株式会社
半導体装置及び半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-223450 出願人：株式会社東芝

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