半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-001347
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263692
出願日： 1995年01月09日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】パワーデバイスの特性、特にオン電圧を改善する。【構成】トレンチ4を掘った後、酸化膜の形成/除去を二回繰り返し、トレンチ4の開孔部の形状5b及び底部の形状6bを丸くする。これと共に、半導体層の欠陥をシリコン酸化膜8中に吸い出し、トレンチ4の内壁近傍の欠陥を低減する。【効果】ゲートでの電界集中を回避し、移動度を高める。

請求項（抜粋）：

(a)半導体からなる基板に対し、異方性エッチングを行って前記基板の厚さ方向に溝を掘る工程と、(b)第1の熱酸化を行い、前記溝内部に第1の犠牲酸化膜を形成する工程と、(c)前記第1の犠牲酸化膜を除去する工程と、(d)前記工程(c)の後で第2の熱酸化を行い、前記溝の内部に第2の犠牲酸化膜を形成する工程と、(e)前記第2の犠牲酸化膜を除去する工程と、(f)前記工程(e)の後で、前記溝の内部に制御電極の一部を形成する絶縁膜を形成する工程と、(g)前記溝を埋め、前記制御電極の一部を形成する絶縁膜を介して前記基板と対峙する制御電極を形成する工程とを備える半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 29/74

FI (3件)：

H01L 29/78 321 V , H01L 29/74 N , H01L 29/78 301 V

引用特許：

審査官引用 (16件)

特開平1-192175
特開平3-058485
特開昭59-040579

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