特許

J-GLOBAL ID：200903029100035590

半導体光検出器の作製方法

発明者： 新垣 実 ,  中嶋 和利
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-343940
公開番号（公開出願番号）：特開2002-151732
出願日： 2000年11月10日
公開日（公表日）： 2002年05月24日
要約：

【要約】【課題】 受光感度が高く、高速度光通信に対応可能な半導体光検出器を生産性良く作製する方法を提供する。【解決手段】 光吸収層4を含んだ多層膜2〜7をGaAs基板上に形成する。このGaAs基板1とガラス基板8とを、多層膜の最表面膜7とガラス基板8とが互いに接触するように重ね合せた後、GaAs基板1とガラス基板8との間に圧力をかけると共に加熱して、両基板1,8を融着する。次に、エッチングによって、まずGaAs基板1とバッファー層2とを除去し、続けてエッチング停止層3を除去する。そして、光吸収層4と接すると共に互いに隔たった櫛型ショットキー電極10,11を形成する。

請求項（抜粋）：

入射光の吸収により電子と正孔とが励起される光吸収層を備える半導体光検出器の作製方法であって、前記光吸収層を含む多層膜を基板上に形成し、前記多層膜の最表面膜が、入射光に対して透明な材料で構成された透明基板の一方の面と接触するように、前記多層膜が形成された前記基板と前記透明基板とを接着し、前記透明基板上に少なくとも前記光吸収層が残存するように、前記透明基板に接着された前記基板、若しくは前記基板と前記多層膜の一部の層とを除去し、前記透明基板に残存した多層膜上に、互いに隔たった2つの電極を形成する、ことを特徴とする半導体光検出器の作製方法。

IPC (2件)：

H01L 31/108 ,  H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 31/10 C ,  H01L 29/48 H

Fターム (25件)：

4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104BB15 ,  4M104CC03 ,  4M104DD33 ,  4M104GG05 ,  5F049MA05 ,  5F049MB07 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NA18 ,  5F049NB01 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049PA17 ,  5F049PA20 ,  5F049SE05 ,  5F049SE12 ,  5F049SS01 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ03 ,  5F049SZ04 ,  5F049SZ13 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭58-200525
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-151935   出願人：ソニー株式会社
• 半導体受光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-302246   出願人：日本電信電話株式会社
• 特開平3-270073
  
• 薄膜半導体の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-073790   出願人：ソニー株式会社

引用文献：

審査官引用 (1件)

• "Thin-Film Inverted MSM Photodetectors"