特許

J-GLOBAL ID：200903029102229286

オプトエレクトロニクス半導体チップおよびその製造方法

発明者： シュテファン イレク ,  アンドレアス プレスル ,  クラウス シュトロイベル ,  ヴァルター ヴェークライター ,  ラルフ ヴィルト
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (5件)： 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-518539
公開番号（公開出願番号）：特表2004-506331
出願日： 2001年08月08日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

光子を放出するゾーン(3)を備えた薄膜活性層(2)と、チップの放射方向とは反対側に薄膜活性層(2)を備え、これに接続される支持体基板(3)とを有する半導体チップ、特に発光半導体チップに関する。薄膜活性層(2)には支持体基板(1)からのキャビティ(8)が構成されており、このキャビティにより支持体基板(1)と薄膜活性層(2)とのあいだの境界に複数のメサ領域が構成されている。

請求項（抜粋）：

光子を形成するゾーン(3)を備えた薄膜活性層(2)と、 チップの放射方向とは反対側に薄膜活性層(2)を備え、これに接続される支持体基板(3)とを有する オプトエレクトロニクス半導体チップ、例えば発光半導体チップにおいて、 薄膜活性層(2)には支持体基板(1)からキャビティ(8)が構成されており、このキャビティにより支持体基板(1)と薄膜活性層(2)とのあいだの境界部に複数のメサ(4)が構成されている ことを特徴とするオプトエレクトロニクス半導体チップ。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (1件)：

H01L33/00 B

Fターム (21件)：

5F041AA03 ,  5F041AA41 ,  5F041CA03 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA37 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA74 ,  5F041CA75 ,  5F041CA76 ,  5F041CA77 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB03 ,  5F041CB05 ,  5F041CB15 ,  5F041CB22 ,  5F041CB23

引用特許：

審査官引用 (10件)

• 発光ダイオード及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-141641   出願人：日立電線株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-221772   出願人：シャープ株式会社
• 特開平4-063478
  
• 炭化ケイ素発光ダイオード
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-148836   出願人：三洋電機株式会社
• LEDおよびLEDの組立方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-024950   出願人：ヒューレット・パッカード・カンパニー
• 特開平1-151275
  
• 集積半導体デバイス及びこれを製造するための方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-142073   出願人：エイ・ティ・アンド・ティ・コーポレーション
• 特開昭49-005585
  
• 特開昭52-124885
  
• 特開昭61-183986