特許
J-GLOBAL ID:200903029131916110
火炎センサ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
北村 修一郎
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-397111
公開番号(公開出願番号):特開2003-197951
出願日: 2001年12月27日
公開日(公表日): 2003年07月11日
要約:
【要約】【課題】 波長選択性が良好な火炎センサを提供する。【解決手段】 火炎センサが、単数または複数の半導体層を有する半導体受光素子構造を備え、前記半導体受光素子構造中の単数または複数の半導体層に受光領域が形成されてなり、前記半導体受光素子構造上に、複数の光透過層が堆積されてなる多層膜光フィルタ構造が直接積層され、前記半導体受光素子構造と前記多層膜光フィルタ構造とが一体形成される。
請求項(抜粋):
単数または複数の半導体層を有する半導体受光素子構造を備え、前記半導体受光素子構造中の単数または複数の半導体層に受光領域が形成されてなり、前記半導体受光素子構造上に、複数の光透過層が堆積されてなる多層膜光フィルタ構造が直接積層され、前記半導体受光素子構造と前記多層膜光フィルタ構造とが一体形成された火炎センサ。
IPC (3件):
H01L 31/10
, G01J 1/02
, G08B 17/12
FI (4件):
G01J 1/02 G
, G01J 1/02 J
, G08B 17/12 B
, H01L 31/10 A
Fターム (23件):
2G065AA04
, 2G065AB05
, 2G065BA09
, 2G065BB27
, 2G065DA06
, 5C085AA14
, 5C085AB01
, 5C085BA31
, 5C085DA08
, 5C085FA38
, 5F049MA02
, 5F049MA04
, 5F049MA05
, 5F049MA14
, 5F049MB07
, 5F049NA05
, 5F049NA17
, 5F049NB10
, 5F049SE03
, 5F049SE04
, 5F049SZ07
, 5F049SZ08
, 5F049WA05
引用特許:
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