特許
J-GLOBAL ID：200903029134478377

超電導体の捕捉磁場のコントロール方法

発明者：
尾作 仁司

尾作 仁司 について


出願人/特許権者：
財団法人鉄道総合技術研究所

財団法人鉄道総合技術研究所 について


代理人 (2件)： 志賀 正武 ,  渡邊 隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-025213
公開番号（公開出願番号）：特開2004-235585
出願日： 2003年01月31日
公開日（公表日）： 2004年08月19日
要約：
【課題】本発明は、捕捉磁場割れを生じている超電導バルク体についても有効に利用することができる技術の提供を目的とする。【解決手段】本発明は、超電導バルク体1に対して他の超電導バルク体2を1つまたは2つ以上、それらを厚さ方向に重ね、先の超電導バルク体1の捕捉磁場分布に他の超電導バルク体2で磁気的に影響を与えて先の超電導バルク体1が単独で有していた捕捉磁場分布をこれらの合成としての捕捉磁場分布に調整することを特徴とする。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
超電導バルク体に対して他の超電導バルク体を1つまたは2つ以上、それらを厚さ方向に重ね、先の超電導バルク体の捕捉磁場分布に他の超電導バルク体で磁気的に影響を与えて先の超電導バルク体が単独で有していた捕捉磁場分布をこれらの合成としての捕捉磁場分布に調整することを特徴とする超電導体の捕捉磁場のコントロール方法。
IPC (4件)：
H01L39/00 ,  C01G1/00 ,  C01G3/00 ,  H01B13/00
FI (4件)：
H01L39/00 G ,  C01G1/00 S ,  C01G3/00 ,  H01B13/00 565D
Fターム (13件)：
4G047JA02 ,  4G047JB02 ,  4G047JC02 ,  4G047KB04 ,  4G047KB20 ,  4G047LB10 ,  4M113BA21 ,  4M113CA34 ,  5G321AA02 ,  5G321AA04 ,  5G321CA04 ,  5G321DB28 ,  5G321DB52
引用特許：
審査官引用 (3件)

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