半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：滝本智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-238786
公開番号（公開出願番号）：特開平10-092865
出願日： 1996年09月10日
公開日（公表日）： 1998年04月10日
要約：

【要約】【課題】メモリーや汎用マイコンなどの小ピンの半導体素子をCSP化すると、製造コスト的に高価になるとともに、QFPの小型化率が小さくなる。【解決手段】半導体素子12の素子電極13から引き出される金属配線14は第1の樹脂層15上に形成され、この金属配線14により半導体素子12の素子電極13とパッケージ電極11が電気的に接続されている。そして外部との電気的な接続は第2の樹脂層10の開口部に位置するパッケージ電極11で行うものである。また、パシベーション膜16上に形成されるポリイミド樹脂層17、第1の樹脂層15および第2の樹脂層10により、この半導体装置と外部の実装基板とを実装した際に、その実装基板と半導体素子12のシリコン(Si)との熱膨脹差によって生じる応力を緩和するものである。また個々の組立を行わずウェハ単位で一括して加工を行うため低コストでCSP化することが可能になる。

請求項（抜粋）：

半導体素子表面のパシベーション膜上に前記半導体素子の素子電極部に相当する位置に開口部を有する第1の樹脂層を有し、前記第1の樹脂層上に前記半導体素子の前記素子電極部から配線される金属配線を有し、前記金属配線上と前記第1の樹脂層上に前記金属配線上の一部分に開口部を有する第2の樹脂層を有し、前記第2の樹脂層の開口部に前記金属配線と接続する金属電極を有することを特徴とする半導体装置。

引用特許：

審査官引用 (4件)

フリップチップICとその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-023791 出願人：ソニー株式会社
特開平3-028365
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-211207 出願人：ソニー株式会社

全件表示

前のページに戻る