半導体レーザの選別方法及びその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：吉田精孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-320062
公開番号（公開出願番号）：特開平10-160785
出願日： 1996年11月29日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】長寿命の半導体レーザを効率良く選別する方法及びその装置を提供すること。【解決手段】実際の使用条件よりも厳しい条件下で半導体レーザを動作させる加速試験の前後における発振しきい値の変化率より長寿命の半導体レーザを選別する際、半導体レーザの電流-電圧特性を測定し、微分抵抗が一定になる最小の電流値を前記発振しきい値とみなして選別を行うことにより、電流-光出力特性の測定を不要とし、これによって選別前のパッケージングやモジュール組み込みを不要とし、ウェハから分割しない状態での選別を可能とし、スループットの高い選別を可能とする。

請求項（抜粋）：

半導体レーザを加速試験する工程と、前記加速試験により発振しきい値が上昇した素子を選別除去する工程とからなる半導体レーザの選別方法において、前記半導体レーザの微分抵抗が一定になる最小の電流値を前記発振しきい値とみなすことを特徴とする半導体レーザの選別方法。

IPC (2件)：

G01R 31/26 , H01S 3/18

FI (3件)：

G01R 31/26 F , G01R 31/26 H , H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-184175
特開昭62-008583
特開平3-062938

全件表示

前のページに戻る