半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-251863
公開番号（公開出願番号）：特開平7-106377
出願日： 1993年10月07日
公開日（公表日）： 1995年04月21日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】半導体素子上に設けられたバンプ電極をリード端子に半田付けしても不要な部分に半田が付着するのを解消し、半導体装置の製造における歩留まり向上を目的とする。【構成】素子形成された半導体基板にバンプ電極1aを形成するバンプ形成工程と、このバンプ形成工程を経て得られる半導体素子のバンプ電極を半田4によりリード端子2に接続する半田付け工程とを有する半導体装置の製造方法において、上記半田付け工程に際し、上記バンプ形成工程を経て得られる半導体素子をエッチング処理するようにした。

請求項（抜粋）：

素子形成された半導体基板にバンプ電極を形成するバンプ形成工程と、このバンプ形成工程を経て得られる半導体素子のバンプ電極を半田によりリード端子に接続する半田付け工程とを有する半導体装置の製造方法において、上記半田付け工程に際し、上記バンプ形成工程を経て得られる半導体素子をエッチング処理することを特徴とする半導体装置の製造方法。

引用特許：

審査官引用 (10件)

特開平3-229431
特開平2-152243
特開平3-101141

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