特許
J-GLOBAL ID：200903029240719928
半導体装置、半導体装置の製造方法、スプリットゲート型トランジスタ、スプリットゲート型トランジスタの製造方法、不揮発性半導体メモリ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-008581
公開番号（公開出願番号）：特開平8-293566
出願日： 1996年01月22日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：
【要約】【課題】スプリットゲート型メモリセルを用いたフラッシュEEPROMの高集積化を図る。【解決手段】基板1上にはソース領域3およびドレイン領域4が形成され、ソース領域3とドレイン領域4に挟まれたチャネル領域5上には酸化膜6を介してフローティングゲート電極8が形成されている。フローティングゲート電極8上には酸化膜7を介してコントロールゲート電極9が形成されている。コントロールゲート電極9の一部は酸化膜6,7を介してチャネル領域5上に配置され選択ゲート10を構成している。選択ゲート10により選択トランジスタ11が構成される。選択ゲート10は、フローティングゲート電極8および酸化膜7の側壁部に形成されたサイドウォール部12,13と、そのサイドウォール部12,13を覆うように形成された部分14とから構成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成された層の側壁部に形成された膜から成るゲート電極を備えた半導体装置。
IPC (6件)：
H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
, G11C 16/02
, G11C 16/04
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, G11C 17/00 307 D
, H01L 27/10 434
