特許
J-GLOBAL ID:200903029245605831
ハロゲン化金属の腐食阻害剤を含有するアルカリ性のプラズマエッチング/灰化後の残渣の除去剤およびフォトレジスト剥離組成物
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
青山 葆
, 岩崎 光隆
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-538087
公開番号(公開出願番号):特表2007-510307
出願日: 2004年10月20日
公開日(公表日): 2007年04月19日
要約:
本発明は、マイクロエレクトロニクス産業で有用な、フォトレジスト残渣および他の望まざる汚染を除去することにより半導体ウエハ基板を剥離または洗浄するためのアルカリ性組成物を提供する。その組成物は、(a)1種またはそれ以上の塩基、および、(b)1種またはそれ以上の式:WzMXy(式中、Mは、Si、Ge、Sn、Pt、P、B、Au、Ir、Os、Cr、Ti、Zr、Rh、RuおよびSbからなる群から選択される金属であり;Xは、F、Cl、BrおよびIからなる群から選択されるハロゲン化物であり;Wは、H、アルカリまたはアルカリ土類金属および金属イオン不含水酸化物塩基部分から選択され;yは、ハロゲン化金属に応じて、4ないし6の数であり;そして、zは、1、2または3の数である)の金属腐食阻害性ハロゲン化金属化合物を含有する。
請求項(抜粋):
(a)1種またはそれ以上の塩基;および、
(b)1種またはそれ以上の式:
WzMXy
式中、Mは、Si、Ge、Sn、Pt、P、B、Au、Ir、Os、Cr、Ti、Zr、Rh、RuおよびSbからなる群から選択される金属であり;Xは、F、Cl、BrおよびIからなる群から選択されるハロゲン化物であり;Wは、H、アルカリまたはアルカリ土類金属および金属イオン不含水酸化物塩基部分からなる群から選択され;yは、ハロゲン化金属に応じて、4ないし6の数であり;そして、zは、1、2または3の数である、
のハロゲン化金属化合物、
を含む、集積回路基板の剥離または洗浄用のアルカリ性組成物。
IPC (8件):
H01L 21/304
, G03F 7/42
, H01L 21/027
, C11D 7/06
, C11D 7/32
, C11D 7/50
, C11D 7/18
, C11D 7/10
FI (10件):
H01L21/304 647A
, G03F7/42
, H01L21/30 572B
, H01L21/304 647Z
, H01L21/304 647B
, C11D7/06
, C11D7/32
, C11D7/50
, C11D7/18
, C11D7/10
Fターム (14件):
2H096AA25
, 2H096LA03
, 4H003DA14
, 4H003DA15
, 4H003EA05
, 4H003EA21
, 4H003EA23
, 4H003EA24
, 4H003EB16
, 4H003EB19
, 4H003ED02
, 4H003EE04
, 4H003FA28
, 5F046MA02
引用特許: