特許

J-GLOBAL ID：200903029278104757

電力用半導体装置

発明者： 望月 浩一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-184943
公開番号（公開出願番号）：特開2003-009508
出願日： 2001年06月19日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：

【要約】【課題】 通常動作時の損失を低減でき、かつ、精度よく過電流保護を可能とする電力用半導体装置を提供する。【解決手段】 パワーモジュールは、2つの主電極及び制御電極を有する電力用スイッチング素子11と、電力用スイッチング素子(IGBT)11のエミッタに接続されたエミッタ電極17と、電力用スイッチング素子11の主電極間に流れる主電流を検出し、検出した主電流が過電流であると判断したときに主電流を制限するように電力用スイッチング素子11の動作を制御する制御回路15とを備える。制御回路15は電力用スイッチング素子11に流れる主電流を、エミッタ電極17を用いて検出する。

請求項（抜粋）：

2つの主電極及び制御電極を有する電力用スイッチング素子と、該電力用スイッチング素子の主電極の一つに接続された金属電極と、電力用スイッチング素子の主電極間に流れる主電流を検出し、該検出した主電流が過電流であると判断したときに前記主電流を制限するように前記電力用スイッチング素子の動作を制御する保護手段とを備えた電力用半導体装置であって、該保護手段は、前記電力用スイッチング素子に流れる主電流を、前記金属電極の所定の2点間の電圧を検出することにより検出することを特徴とする電力用半導体装置。

IPC (3件)：

H02M 1/00 ,  H02M 7/5387 ,  H03K 17/08

FI (3件)：

H02M 1/00 H ,  H02M 7/5387 Z ,  H03K 17/08 Z

Fターム (29件)：

5H007AA05 ,  5H007AA06 ,  5H007AA12 ,  5H007AA17 ,  5H007BB06 ,  5H007CA01 ,  5H007CB05 ,  5H007CC23 ,  5H007DB01 ,  5H007DC02 ,  5H007FA03 ,  5H007FA08 ,  5H740BA11 ,  5H740BB05 ,  5H740BB09 ,  5H740BB10 ,  5H740MM05 ,  5H740MM12 ,  5J055AX36 ,  5J055AX53 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055CX20 ,  5J055DX09 ,  5J055EY01 ,  5J055FX04 ,  5J055FX12 ,  5J055FX32 ,  5J055GX01

引用特許：

審査官引用 (3件)

• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-059713   出願人：三菱電機株式会社
• 保護回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-089490   出願人：東芝マイクロエレクトロニクス株式会社, 株式会社東芝
• 特開平3-179767