サファイヤ基板とその製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-236119
公開番号（公開出願番号）：特開2002-050577
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2002年02月15日
要約：

【要約】【課題】サファイヤ基板の表面の荒れを防止又は除去して、サファイヤ基板の品質を高める。【解決手段】III族窒化物半導体もしくは窒化ガリウム系化合物半導体のエピタキシャル成長用サファイヤ基板をアニール処理する際、基板周縁部を保持台で支持し、そのような基板と保持台のセットを多数積層し、最上部を蓋で覆うことで基板表面の汚れの溶着や雰囲気中のゴミの付着を防止して基板表面の荒れを防ぐと共に、アニール処理後に基板に研磨を施すことで基板表面の荒れを除去して品質の高いサファイヤ基板を製造する。

請求項（抜粋）：

サファイヤ基板を研磨する第1の研磨工程と、第1の研磨工程により研磨されたサファイヤ基板をアニール処理する工程とを含む、半導体エピタキシャル成長用サファイヤ基板の製造方法において、前記アニール処理の際、治具によりサファイヤ基板の表面を非接触状態で空隙を設けつつ覆ってアニール処理する工程と、アニール処理されたサファイヤ基板のうち、少なくとも前記エピタキシャル成長に使用する側の表面を前記エピタキシャル成長に適した状態まで再び研磨する第2の研磨工程と、を含むことにより、サファイヤ基板表面の荒れを除去することを特徴とする、サファイヤ基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/304 621 , H01L 31/02 , H01L 33/00

FI (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/304 621 Z , H01L 33/00 C , H01L 31/02 B

Fターム (17件)：

5F041AA11 , 5F041AA40 , 5F041CA22 , 5F041CA40 , 5F041CA46 , 5F052CA02 , 5F052JA10 , 5F052KA10 , 5F088AB07 , 5F088BA20 , 5F088BB03 , 5F088CB09 , 5F088CB11 , 5F088CB18 , 5F088EA06 , 5F088GA01 , 5F088KA01

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭55-020262
半導体ウェハ及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-336984 出願人：日立電線株式会社
結晶基板およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-178668 出願人：日本電気株式会社

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