特許
J-GLOBAL ID:200903029287326100
直流電圧のドリフトが制御されている導波路型電気光学素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
宇井 正一 (外4名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-300420
公開番号(公開出願番号):特開平7-152007
出願日: 1993年11月30日
公開日(公表日): 1995年06月16日
要約:
【要約】【目的】 制御電圧の発散がないように印加直流電圧のドリフトが制御された導波路型電気光学素子、およびその選別方法を提供する。【構成】 室温以上の温度に保持されている導波路型電気光学素子に、所定値の直流バイアス電圧を連続印加し、この素子から出力する光の位相をモニターしたとき、飽和電圧ドリフト量VCと、印加電圧VBとの比A=VC/VBが1未満である光素子、および、上記A=VC/VBが1未満(好ましくは0.5以下)のものを選別する光素子の選別方法。
請求項(抜粋):
室温以上の所定温度に保持された導波路型電気光学素子に、所望値の直流バイアス電圧を連続印加した状態で、前記素子に光を入力し、この素子から出力する光の動作点の経時変化をモニターしたとき、飽和電圧ドリフト量VCと、前記印加された直流バイアス電圧(VB)との比:A=VC/VBが1未満であることを特徴とする、印加直流電圧のドリフトが制御されている導波路型電気光学素子。
IPC (2件):
G02F 1/035
, G02F 1/03 502
引用特許:
審査官引用 (3件)
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光導波路デバイス
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-347156
出願人:富士通株式会社
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特開平4-346310
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光集積回路及びその作製方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-054423
出願人:住友金属鉱山株式会社
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