HDP-CVDを適用したバリヤ層の堆積

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長谷川芳樹 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-334853
公開番号（公開出願番号）：特開2001-203201
出願日： 2000年11月01日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：

【要約】【課題】 HDP-CVDを適用したバリヤ層の堆積すること。【解決手段】炭化水素含有ガスと珪素含有ガスを含むガス状混合物を用い基板上にバリヤ層の様な膜を堆積させる方法。適切な各炭化水素含有ガスはメタン(CH4)のようなアルカン、エタン(C2H6)、ブタン(C3H8)、プロパン(C4H10)等を含む。適切な各珪素含有ガスはモノシラン(SiH4)のようなシランを含む。当方法は通常、基板処理チャンバへ適切なガス状混合物を供給するステップと、ガス状混合物からプラズマを発生するステップと、プラズマを用い基板上に膜を堆積するステップとから成る。好ましい実施例にあっては、膜は高密度プラズマ薬品蒸気堆積(HDP-CVD)システムで堆積させる。ガス状混合物は一般的にはアルカンのような珪素含有ガスと、シランのような炭化水素含有ガスを含む。本発明の方法の各実施例では約4.0又はそれ以下の総合誘電率を有する各スタック構造を集積できる。このような構造は4.5又はそれ以下の誘電率を有するバリヤ層を含めることができる。

請求項（抜粋）：

処理チャンバの内部に配した基板上に膜を堆積する方法であって、(a)珪素含有ガスと炭化水素含有ガスから成るガス状混合物をチャンバに流すステップと、(b)ガス状混合物からプラズマを発生し、プラズマを用いて基板上に膜を堆積するステップとを含む方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/50 , H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/316 X , C23C 16/50 , H01L 21/90 J

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平1-115162
炭化ケイ素の金属拡散障壁層
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-012429 出願人：ダウ・コ-ニング・コ-ポレ-ション
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-090638 出願人：日本電気株式会社

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