特許
J-GLOBAL ID：200903070553181325

半導体装置の製造方法

発明者：
岸本 光司

岸本 光司 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-090638
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286252
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：
【要約】【課題】 可動イオン耐性、重金属耐性、耐水性に優れ、かつステップカバレッジに優れた絶縁膜を提供する。【解決手段】 シリコン基板101上に第1の絶縁膜102を形成し、かつ、その上に配線107を形成する(a)。基板に高周波電力を印加するバイアス系高密度プラズマCVD法により、配線間をシリコン酸化膜108で埋め込み、その上にシラン、メタン、アルゴンを原料としたアモルファスSiC膜109を形成する(b)。その後ポリイミド膜110を形成し、開口部112を形成する(c)。
請求項（抜粋）：
(1)半導体基板表面上に第1の絶縁膜を介して複数の配線を形成する工程と、(2)前記第1の絶縁膜および前記配線を覆う、アモルファスSiC膜を含む第2の絶縁膜を形成する工程と、を有する半導体装置の製造方法において、前記アモルファスSiC膜を基板に高周波電力を印加するバイアス系高密度プラズマCVD法により形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/314 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/469 ,  H01L 21/768
FI (4件)：
H01L 21/314 A ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/469 ,  H01L 21/90 K
Fターム (100件)：
5F033HH09 ,  5F033HH11 ,  5F033HH18 ,  5F033HH32 ,  5F033HH33 ,  5F033MM01 ,  5F033MM08 ,  5F033MM12 ,  5F033MM13 ,  5F033PP15 ,  5F033PP20 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033RR01 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR08 ,  5F033RR11 ,  5F033RR14 ,  5F033RR15 ,  5F033RR22 ,  5F033RR27 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS15 ,  5F033SS19 ,  5F033TT01 ,  5F033TT02 ,  5F033TT04 ,  5F033VV07 ,  5F033XX00 ,  5F033XX02 ,  5F033XX28 ,  5F045AA08 ,  5F045AA10 ,  5F045AB06 ,  5F045AB32 ,  5F045AB33 ,  5F045AB34 ,  5F045AB35 ,  5F045AB36 ,  5F045AC01 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AD07 ,  5F045AE15 ,  5F045AE19 ,  5F045AF08 ,  5F045AF10 ,  5F045BB14 ,  5F045BB17 ,  5F045CB04 ,  5F045DC51 ,  5F045DC52 ,  5F045DC61 ,  5F045DP01 ,  5F045DP02 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ10 ,  5F045EH01 ,  5F045EH02 ,  5F045EH11 ,  5F045EH16 ,  5F045EH17 ,  5F045GH03 ,  5F058AD02 ,  5F058AD04 ,  5F058AD05 ,  5F058AD08 ,  5F058AD10 ,  5F058AD11 ,  5F058AH03 ,  5F058BA05 ,  5F058BA07 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD03 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BD07 ,  5F058BD09 ,  5F058BD10 ,  5F058BD15 ,  5F058BD19 ,  5F058BF01 ,  5F058BF02 ,  5F058BF07 ,  5F058BF09 ,  5F058BF21 ,  5F058BF22 ,  5F058BF23 ,  5F058BF26 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF33 ,  5F058BJ03
引用特許：
審査官引用 (7件)
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