特許
J-GLOBAL ID：200903029357607845
半導体集積回路チップ上の配線試験方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
▲柳▼川 信
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-025758
公開番号（公開出願番号）：特開平8-160095
出願日： 1995年02月15日
公開日（公表日）： 1996年06月21日
要約：
【要約】【目的】 半導体集積回路チップ上の配線の通電状態の観測を可能とし、多層配線の下層部の配線の異常検出にも適用できる故障箇所の推定のための試験方法を提供する。【構成】 連続ビーム(レーザ、電子、イオン)を対象領域に走査しながら照射し、配線に定電圧をかけた時の電流減少量を検出する。電流の減少量は元々流れていた電流の値にほぼ比例するため、電流減少量により電流値が分かる。この電流値により故障箇所の同定が可能となる。
請求項（抜粋）：
半導体集積回路チップ上の配線の通電状態を試験する配線試験方法であって、集積回路に電力を供給する工程と、前記配線を含む前記集積回路上の走査領域を集束した輻射ビームで走査する工程と、前記輻射ビームによる走査箇所の各点の電流変化を検出して表示する工程とを有することを特徴とする配線試験方法。
IPC (4件)：
G01R 31/02
, G01R 31/26
, G01R 31/302
, H01L 21/66
