特許
J-GLOBAL ID：200903029369567520

物理情報取得方法および物理情報取得装置、複数の単位構成要素が配列されてなる物理量分布検知の半導体装置の製造方法

発明者：
戸田 淳

戸田 淳 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-209409
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190958
出願日： 2005年07月20日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】撮像装置において、カラー画像と赤外光画像を1個のイメージセンサで独立かつ同時に取得できるようにする。【解決手段】フォトダイオードや画素内アンプなどが形成される半導体素子上に、画素内アンプから画素信号を読み出すための信号線をなす配線層を形成し、この配線層上に、隣接する層間で屈折率が異なり所定の厚みを持つ層を複数積層した構造を有し赤外光IRを反射させ可視光VLを通過させる特性を持った積層膜1を形成する。単位画素マトリクス12を構成する複数の画素に対して、画素ごとに、赤外光をカットしたりしなかったりする。積層膜1上に、カラー画素12R,12G,12Bに対応させて、カラー撮像用の色フィルタ14R,14G,14Bを形成する。積層膜1が形成された画素12R,12G,12Bからの画素信号に基づきカラー画像を得る。積層膜1が形成されていない画素12IRからの画素信号に基づき赤外光画像を得る。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
電磁波を検知する検知部と、前記検知部で検知された電磁波量に基づいて対応する単位信号を生成して出力する単位信号生成部を単位構成要素内に含み、当該単位構成要素が所定の順に同一基板上に配された物理量分布検知のための装置を使用して、前記単位信号に基づいて所定目的用の物理情報を取得する物理情報取得方法であって、 隣接する層間で屈折率が異なり所定の厚みを持つ層を複数積層した構造を有し、前記電磁波の内の所定の波長領域成分を反射させ残りを通過させる特性を持った積層部材を前記検知部の前記電磁波が入射する入射面側に設け、 前記積層部材を通過した通過波長領域成分を前記検知部で検知し、これによって前記単位信号生成部から得られる通過波長領域成分の単位信号に基づき、前記所定目的用の物理情報を取得する ことを特徴とする物理情報取得方法。
IPC (7件)：
H01L 27/146 ,  G02B 5/20 ,  G02B 5/28 ,  H04N 5/33 ,  H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H01L 31/10
FI (7件)：
H01L27/14 A ,  G02B5/20 101 ,  G02B5/28 ,  H04N5/33 ,  H01L27/14 B ,  H01L27/14 D ,  H01L31/10 A
Fターム (40件)：
2H048BA02 ,  2H048BA04 ,  2H048BB10 ,  2H048BB41 ,  2H048GA04 ,  2H048GA12 ,  2H048GA24 ,  2H048GA35 ,  2H048GA61 ,  4M118AA02 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DB06 ,  4M118DB07 ,  4M118DB08 ,  4M118FA06 ,  4M118GA10 ,  4M118GC08 ,  4M118GC09 ,  4M118GC11 ,  4M118GC14 ,  4M118GC17 ,  4M118GD04 ,  5C024AX01 ,  5C024AX06 ,  5C024CY44 ,  5C024EX52 ,  5C024GX03 ,  5C024GY01 ,  5C024GY31 ,  5C024JX21 ,  5F049MA01 ,  5F049MB03 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049SS03 ,  5F049WA01 ,  5F049WA03
引用特許：
出願人引用 (7件)
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審査官引用 (1件)

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