特許
J-GLOBAL ID：200903029412150523
磁気抵抗効果ヘッド及び磁気記録再生装置
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
平木 祐輔
, 渡辺 敏章
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-011579
公開番号（公開出願番号）：特開2007-193897
出願日： 2006年01月19日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】低い面積抵抗で高い磁気抵抗変化率を示すCPP-GMRを提供する。【解決手段】基板と、前記基板上に形成された下部シールドと、前記下部シールド上に形成された、固定層と、非磁性層と、自由層とを有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果幕の上に形成された上部シールドとを備え、前期下部シールドと上部シールドとの間に電流を流す磁気ヘッドにおいて、前記下部シールドを第1シールド112/結晶リセット層131/第2シールド層115とし、結晶リセット層の少なくとも一部にアモルファス材料を適用することにより、第2シールド/CPP-GMRの結晶性を制御する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板と、
前記基板上に形成された下部シールドと、
前記下部シールド上に形成された、固定層と、非磁性層と、自由層とを有する磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の上に形成された上部シールドとを備え、
前記下部シールドと上部シールドとの間に電流を流す磁気ヘッドにおいて、
前記下部シールドは、前記基板側に形成された第1シールド層と、結晶リセット層と、前記磁気抵抗効果膜側に形成された第2シールド層とからなる積層構造を有し、
前記結晶リセット層はアモルファス層を有することを特徴とする磁気ヘッド。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (5件)：
5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BB08
, 5D034BB12
, 5D034DA07
