特許
J-GLOBAL ID：200903050307068047
スピントンネル磁気抵抗効果膜及び素子及びそれを用いた磁気抵抗センサー、及び磁気装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
畑 泰之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-399868
公開番号（公開出願番号）：特開2002-204002
出願日： 2000年12月28日
公開日（公表日）： 2002年07月19日
要約：
【要約】【目的】 本発明の目的は、熱安定性に優れ、磁気ヘッド適用に十分な低抵抗を示し、ゼロ磁場前後で直線的に大きな磁界感度を示すスピントンネル磁気抵抗効果膜、スピントンネル磁気抵抗効果素子、及びそれを用いた磁気装置を提供することを目的とする。【構成】 反強磁性体と交換結合して交換バイアスを与えられた磁性薄膜と磁界を検知する磁性薄膜がトンネルバリア層を介して積層されたスピントンネル磁気抵抗効果膜において、下地層(Ta, Zr, Hf)上に磁性薄膜または反強磁性薄膜(PtMn, PdMn, NiMn)を積層し、表面の凹凸を0.1から5オングストロームとする。この時表面凹凸を制御する手段が、成膜室に10-6Torrから10-9Torr分圧の酸素、窒素、水素あるいはこれらの混合ガスを導入する、あるいは、成膜中に基板温度を0°C以下にする、あるいは下地層表面を酸化することによることを特徴とする。また、下部電極材料として、高透磁率アモルファス磁性材料と非磁性金属導電層との積層膜を用いることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
少なくとも、下部電極層/反強磁性薄膜/第1の磁性薄膜/トンネルバリア層/第2の磁性薄膜/上部電極層をこの順に積層した構造からなり、前記反強磁性薄膜による第1の磁性薄膜の交換結合磁界をHr、第2の磁性薄膜の保磁力をHc2としたとき、Hc2 < Hrであるスピントンネル磁気抵抗効果膜において、前記下部電極層と前記反強磁性薄膜との間にTa, Zr, Hfまたはこれらの合金からなる下地層を設け、該下地層上の前記反強磁性薄膜の表面の平均凹凸が0.1から5オングストロームであることを特徴とするスピントンネル磁気抵抗効果膜。
IPC (6件)：
H01L 43/08
, G01R 33/09
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/12
H01L 43/08 Z
, G11B 5/39
, H01F 10/16
, H01F 10/32
, H01L 43/12
, G01R 33/06 R
2G017AA01
, 2G017AB07
, 2G017AC01
, 2G017AC07
, 2G017AD55
, 2G017BA05
, 5D034BA03
, 5D034BA05
, 5D034BA08
, 5D034BA12
, 5D034BA21
, 5D034CA07
, 5D034DA07
, 5E049AA01
, 5E049AA04
, 5E049AA07
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049CB02
, 5E049DB12
