特許
J-GLOBAL ID：200903097157268782
磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置および磁気メモリ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (6件)：
鈴江 武彦
, 河野 哲
, 中村 誠
, 蔵田 昌俊
, 村松 貞男
, 橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-431571
公開番号（公開出願番号）：特開2005-191312
出願日： 2003年12月25日
公開日（公表日）： 2005年07月14日
要約：
【課題】結晶配向性や結晶粒径を制御し、高い磁気抵抗変化量を実現できる磁気抵抗効果素子を提供する。【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、非磁性金属中間層と、磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁性体膜を有する磁化自由層とを有し、前記磁化固着層、非磁性中間層および磁化自由層の少なくともいずれか1層が抵抗を調節する絶縁部を含む磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電するために電気的に接続された一対の電極とを備え、前記磁化自由層は結晶構造が体心立方晶である体心立方晶層を含み、前記体心立方晶層の厚さが2nm以上であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
磁化方向が実質的に一方向に固着された磁化固着層と、前記磁化固着層上に形成された非磁性金属中間層と、前記非磁性金属中間層上に形成され磁化方向が外部磁界に対応して変化する磁性体膜を有する磁化自由層とを有し、前記磁化固着層または非磁性中間層が抵抗を調節する絶縁部を含む磁気抵抗効果膜と、
前記磁気抵抗効果膜の膜面に対して略垂直な方向にセンス電流を通電するために電気的に接続された一対の電極とを備え、
前記磁化自由層は結晶構造が体心立方晶である体心立方晶層を含み、前記体心立方晶層の厚さが2nm以上であることを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (6件)：
H01L43/08
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01L27/105
, H01L43/10
H01L43/08 Z
, H01L43/08 M
, G11B5/39
, H01F10/16
, H01F10/32
, H01L43/10
, H01L27/10 447
5D034BA02
, 5D034BA03
, 5E049AA04
, 5E049AC05
, 5E049BA12
, 5E049BA16
, 5E049CB02
, 5E049DB12
, 5F083FZ10
