特許

J-GLOBAL ID：200903029428088380

成膜装置

発明者： 稲垣 徹 ,  白幡 孝洋 ,  横山 敬志 ,  佐野 道宏 ,  堀尾 直史
出願人/特許権者： エア・ウォーター株式会社 ,  スタンレー電気株式会社
代理人 (1件)： 森本 直之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-222965
公開番号（公開出願番号）：特開2006-041419
出願日： 2004年07月30日
公開日（公表日）： 2006年02月09日
要約：

【課題】原料ガスが処理基板に到達する前に反応することを防止し、処理基板からの輻射熱の影響を最小化し、さらに、反応室におけるガスの挙動を結晶成膜にとってより良好とすることのできる成膜装置を提供する。【解決手段】加熱状態の処理基板5の表面に、複数の原料ガスを反応させて成膜を行う成膜装置であって、上記処理室1が加熱室1aと反応室1bに区分され、反応室1bに露出している処理基板5と対向するところに、原料ガスの排気管7が反応室1bに連続した状態で設けられ、処理基板5の表面に対して各原料ガスをそれぞれ独立した状態で供給する供給口11,12が、排気管7よりも外方に位置するように配置されている。こうすることにより、処理基板5の直近で原料ガスを反応させて良好な結晶成膜が処理基板5上に形成される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理室に配置された加熱状態の処理基板の表面に、少なくとも第1原料ガスと第2原料ガスからなる複数の原料ガスを反応させて成膜を行う成膜装置であって、 上記処理室が少なくとも処理基板によって加熱室と反応室に区分され、 上記反応室に露出している処理基板と対向するところに、原料ガスの排気管が反応室に連続した状態で設けられ、 上記処理基板の表面に対して第1原料ガスと第2原料ガスをそれぞれ独立した状態で供給する第1原料ガスと第2原料ガスの各供給口が、上記排気管よりも外方に位置するように配置されていることを特徴とする成膜装置。

IPC (2件)：

H01L 21/365 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L21/365 ,  C23C16/455

Fターム (28件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030BA47 ,  4K030CA05 ,  4K030EA04 ,  4K030EA06 ,  4K030EA11 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030LA13 ,  5F045AA05 ,  5F045AB22 ,  5F045AB31 ,  5F045AC07 ,  5F045AC11 ,  5F045AF09 ,  5F045CA10 ,  5F045DP05 ,  5F045DP15 ,  5F045DP27 ,  5F045EB02 ,  5F045EC01 ,  5F045EF02 ,  5F045EF04 ,  5F045EF08 ,  5F045EF20 ,  5F045EK07 ,  5F045EK13

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特許第3198956号公報
  
• 特開平1-101623号公報
  

審査官引用 (4件)

• 特開平1-101623
  
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-101864   出願人：大同酸素株式会社
• プラズマ処理用ガス導入装置およびプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-247483   出願人：住友金属工業株式会社
• プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-114885   出願人：三菱電機株式会社, 三菱電機エンジニアリング株式会社