ラップ液供給装置及びラップ液供給方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：伊藤進
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-373017
公開番号（公開出願番号）：特開2001-179628
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月03日
要約：

【要約】【課題】大量のラップ液を消費することなく、低コストで、常に一定の処理能力が維持されたラップ液をラップ装置に供給することのできるラップ液供給装置を提供する。【解決手段】ラップ装置1にラップ液を循環供給するラップ液供給装置3において、貯留槽5の底部5aをテーパー状に形成し、底部5aの下端にラップ液をラップ装置1に導くラップ液供給通路6を連通する。ラップ液をラップ装置1から貯留槽5に導くラップ液リターン通路7を構成するスラッジ捕捉通路7bの下流端を貯留槽5の中心から一側寄りに偏倚させて貯留槽5内に臨ませる。スラッジ捕捉通路7bの底部に磁性体を吸着するための磁石9を埋設する。スラッジ捕捉通路7bに捕捉されたスラッジを適宜掻き出し除去可能なするへら部材13と、新たなラップ液を貯留槽5に適宜補充可能な補充容器12とを備える。

請求項（抜粋）：

ラップ液を貯留する貯留槽と、上記貯留槽に貯留されたラップ液をラップ装置に導くラップ液供給通路と、上記ラップ装置で使用されたラップ液を上記貯留槽に導くラップ液リターン通路と、を備え、ラップ液を上記ラップ装置に循環供給するラップ液供給装置において、上記貯留槽の底部をテーパー状に形成し、この底部の下端に上記ラップ液供給通路を連通したことを特徴とするラップ液供給装置。

Fターム (2件)：

3C047GG13 , 3C047GG18

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体基板の鏡面研磨方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-270007 出願人：住友シチックス株式会社
研磨用スラリーの供給方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-245036 出願人：超音波工業株式会社
特開昭60-067069

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