特許
J-GLOBAL ID:200903029441588279
アクティブマトリクス型表示装置
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
吉田 研二 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-303788
公開番号(公開出願番号):特開2003-108032
出願日: 2001年09月28日
公開日(公表日): 2003年04月11日
要約:
【要約】【課題】 デルタ配列などが採用されたアクティブマトリクス型表示装置において配線パターンを簡潔とする。【解決手段】 マトリクス状に配置された複数の画素のそれぞれが、表示素子として例えば有機EL素子50と、駆動電源ライン44からの電流を上記有機EL素子50に供給する第2TFT20と、選択時にデータライン42から供給されるデータ信号に基づいて第2TFT20を制御する第1TFTと、を少なくとも備えるアクティブマトリクス型表示装置において、各画素の領域内を駆動電源ライン44が横切る。具体的には、第1TFTがデータライン42と接続される領域では、画素の対向する第1、第2辺のうち、データライン42と逆の第2辺側に配置され、第2TFT20と該駆動電源ライン44が接続される領域では第1辺側に配置する。これにより、行毎に位置のずれた画素を簡潔な配線レイアウトで接続することができる。
請求項(抜粋):
マトリクス状に配置された複数の画素のそれぞれが、被駆動素子と、駆動電源ラインからの電力を該被駆動素子に供給する素子駆動用薄膜トランジスタと、選択時にデータラインから供給されるデータ信号に基づいて前記素子駆動用薄膜トランジスタを制御するスイッチング用薄膜トランジスタと、を少なくとも備えるアクティブマトリクス型表示装置であって、各画素において、前記駆動電源ラインは、前記スイッチング用薄膜トランジスタが前記データラインと接続されている領域では、該画素の対向する第1及び第2辺のうち前記データラインと反対側の第2辺側に配置され、前記素子駆動用薄膜トランジスタと該駆動電源ラインが接続されている領域では、前記データライン側の第1辺側に配置されていることを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
IPC (7件):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 330
, G09F 9/00 348
, G09G 3/20 621
, G09G 3/20 680
, G09G 3/30
, H05B 33/14
FI (7件):
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 330 Z
, G09F 9/00 348 C
, G09G 3/20 621 M
, G09G 3/20 680 G
, G09G 3/30 H
, H05B 33/14 A
Fターム (36件):
3K007AB02
, 3K007AB04
, 3K007AB17
, 3K007AB18
, 3K007BA06
, 3K007DB03
, 3K007GA04
, 5C080AA06
, 5C080BB05
, 5C080DD05
, 5C080DD22
, 5C080FF11
, 5C080JJ03
, 5C080JJ06
, 5C094AA02
, 5C094BA12
, 5C094BA29
, 5C094BA43
, 5C094CA19
, 5C094CA24
, 5C094DA09
, 5C094DA14
, 5C094DA15
, 5C094DB01
, 5C094DB03
, 5C094DB04
, 5C094EA04
, 5C094EA07
, 5G435AA00
, 5G435BB05
, 5G435BB12
, 5G435CC09
, 5G435CC12
, 5G435EE33
, 5G435EE37
, 5G435EE41
引用特許:
出願人引用 (4件)
-
表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-331388
出願人:カシオ計算機株式会社
-
表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-280179
出願人:三洋電機株式会社
-
有機エレクトロルミネッセンス表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-009318
出願人:シャープ株式会社
-
電子装置及び電気器具
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-124078
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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審査官引用 (4件)
-
表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平8-331388
出願人:カシオ計算機株式会社
-
表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平11-280179
出願人:三洋電機株式会社
-
有機エレクトロルミネッセンス表示装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-009318
出願人:シャープ株式会社
-
電子装置及び電気器具
公報種別:公開公報
出願番号:特願2000-124078
出願人:株式会社半導体エネルギー研究所
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