特許
J-GLOBAL ID：200903091681527762
電子装置及び電気器具
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-124078
公開番号（公開出願番号）：特開2001-013893
出願日： 2000年04月25日
公開日（公表日）： 2001年01月19日
要約：
【要約】【課題】 動作性能および信頼性の高いEL表示装置を提供する。【解決手段】 画素内に形成されるスイッチング用TFT201のLDD領域15a〜15dは、ゲート電極19a、19bに重ならないように形成され、オフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。また、電流制御用TFT202のLDD領域33は、ゲート電極35に一部が重なるように形成され、ホットキャリア注入の防止とオフ電流値の低減に重点をおいた構造となっている。このように、求める機能に応じて適切なTFT構造とし、動作性能及び信頼性を高める。
請求項（抜粋）：
第1のTFT、第2のTFT及び前記第2のTFTに接続されたEL素子を一画素内に有する電子装置において、前記第1のTFTのLDD領域は、該第1のTFTのゲート電極にゲート絶縁膜を挟んで重ならないように形成され、前記第2のTFTのLDD領域は、該第2のTFTのゲート電極にゲート絶縁膜を挟んで一部若しくは全部が重なるように形成されていることを特徴とする電子装置。
IPC (5件)：
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365
, H01L 29/786
, H01L 21/336
, H05B 33/14
G09F 9/30 338
, G09F 9/30 365 Z
, H05B 33/14 A
, H01L 29/78 612 B
, H01L 29/78 616 A
