特許

J-GLOBAL ID：200903029451933179

2Nマスクデザインおよび逐次横成長結晶化方法

発明者： マーク エイ. クラウダー
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 山本 秀策 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-260482
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151907
出願日： 2002年09月05日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 基板をマスクに対して90度回転させる必要性がなく、より緻密な直交構造を有する結晶を生成することが可能なマスクを提供すること。【解決手段】 本発明のマスクパターンは、逐次横成長結晶化(SLS)のためのマスクパターンであって、a)第1の2ショットSLSプロセスを達成するための第1のセットのスリットと、b)第2の2ショットSLSプロセスを達成するための、該第1のセットのスリットに対して所望の角度をなす第2のセットのスリットとを含む。

請求項（抜粋）：

逐次横成長結晶化(SLS)のためのマスクパターンであって、a)第1の2ショットSLSプロセスを達成するための第1のセットのスリットと、b)第2の2ショットSLSプロセスを達成するための、該第1のセットのスリットに対して所望の角度をなす第2のセットのスリットと、を含む、逐次横成長結晶化(SLS)のためのマスクパターン。

IPC (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268

FI (2件)：

H01L 21/20 ,  H01L 21/268 F

Fターム (13件)：

5F052AA01 ,  5F052AA02 ,  5F052AA03 ,  5F052AA04 ,  5F052BA01 ,  5F052BA12 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052DA01 ,  5F052DA02 ,  5F052DA03 ,  5F052DA10 ,  5F052FA19

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 米国特許第6,177,301号明細書
  
• 米国特許第6,235,614号明細書
  
• 米国特許第6,274,888号明細書
  

審査官引用 (2件)

• マスクを利用したシリコンの結晶化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-156969   出願人：エルジーフィリップスエルシーディーカンパニーリミテッド
• 多結晶化用マスク及びこれを利用した多結晶薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-215567   出願人：三星電子株式会社