多結晶化用マスク及びこれを利用した多結晶薄膜トランジスタの製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小野由己男 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-215567
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092262
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：

【要約】【課題】多結晶シリコンのグレーン大きさを均一に形成することができる多結晶化用マスク及びこれを利用した薄膜トランジスタの製造方法を提供、さらに、電子移動度を等方的に均一に有する多結晶シリコンを形成するための多結晶化用マスク及びこれを利用した薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】多結晶化用マスクには縦方向に形成されているスリットパターンが横方向に多数配列されている第1及び第2垂直スリット領域と横方向に形成されているスリットパターンが縦方向に多数配列されている第3及び第4水平スリット領域を有する。この時、第1垂直スリット領域のスリットパターンと第2垂直スリット領域のスリットパターンとはスリットパターンの間の間隔と同じだけ離れるように配置されており、第3水平スリット領域のスリットパターンと第4水平スリット領域のスリットパターンもやはりこれらの間の間隔だけ食い違うように配置されている。

請求項（抜粋）：

照射するレーザービームの透過領域を定義するスリットパターンの長手方向が、順次的側面固形状結晶の単位スキャニング工程におけるマスクの移動方向に対して直交する方向に形成されている多結晶化用マスク。

IPC (3件)：

H01L 21/20 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (2件)：

H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G

Fターム (34件)：

5F052AA02 , 5F052BA12 , 5F052CA07 , 5F052DA02 , 5F052DB03 , 5F052DB07 , 5F052FA19 , 5F052HA01 , 5F052JA01 , 5F110AA01 , 5F110AA30 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110EE43 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL07 , 5F110HL22 , 5F110NN02 , 5F110PP03 , 5F110PP05 , 5F110PP06 , 5F110PP23 , 5F110QQ11

引用特許：

審査官引用 (4件)

基板上の半導体膜領域の結晶化処理及びこの方法により製造されたデバイス
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-542270 出願人：ザトラスティースオブコロンビアユニヴァーシティインザシティオブニューヨーク
マスクを利用したシリコンの結晶化方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-156969 出願人：エルジーフィリップスエルシーディーカンパニーリミテッド
薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-236392 出願人：株式会社東芝

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