特許
J-GLOBAL ID：200903029462071365

半導体素子及び製造方法

発明者：
ステファン リンデル

ステファン リンデル について


出願人/特許権者：
アセア ブラウン ボヴエリ アクチエンゲゼルシヤフト

アセア ブラウン ボヴエリ アクチエンゲゼルシヤフト について


代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-366596
公開番号（公開出願番号）：特開2000-195870
出願日： 1999年12月24日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 半導体素子及びその製造方法を提供する。【解決手段】 カソード3及びアノード5を有する半導体素子を製造する方法において、使用する開始材料は比較的厚いウェーハであり、最初のステップにおいてアノード側にバリア領域21を付加する。次のステップにおいてカソード側を処理し、その次のステップにおいてカソード3とは反対の側からウェーハ1の厚みを薄くする。次のステップにおいてこの側にアノード5を形成させる。この比較的薄い半導体素子は経済的に、且つエピタキシャル層を用いることなく製造することができる。
請求項（抜粋）：
a)初めに、ウェーハ(1)上にカソード側を処理するステップと、b)次いで、上記カソード(3’)とは反対の側から上記ウェーハ(1)の厚みを薄くするステップと、c)次いで、上記カソード(3’)とは反対の側上にアノード(5)を形成させるステップと、からなるようなカソード(3)及びアノード(5)を有する半導体素子(HL)をウェーハ(1)から製造する方法において、上記カソード側を処理する前に、バリア領域(21)を付加するステップを含んでいることを特徴とする方法。
IPC (6件)：
H01L 21/336 ,  H01L 29/744 ,  H01L 29/74 ,  H01L 21/332 ,  H01L 29/78 655 ,  H01L 29/78
FI (6件)：
H01L 29/78 658 A ,  H01L 29/78 655 B ,  H01L 29/78 655 C ,  H01L 29/74 C ,  H01L 29/74 F ,  H01L 29/74 301
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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