III族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松下亮
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-244250
公開番号（公開出願番号）：特開2009-076673
出願日： 2007年09月20日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】絶縁膜と半導体層の界面準位を効果的に低減し,大電流を流すことのできるIII族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタを提供する。【解決手段】GaN系MOSFETは、基板1と、基板1上に形成されたバッファ層2と、バッファ層2上に形成されたp型GaN層の半導体層3と、半導体層3のチャネル領域上にSiO2から成るゲート酸化膜5を介して形成されたゲート電極8と、ソース電極6及びドレイン電極7と、半導体層3のチャネル領域の両側に形成され、ソース電極6及びドレイン電極にそれぞれオーミック接触するコンタクト領域4s及び4dとを備える。ゲート酸化膜5であるSiO2をバッファードふっ酸(BHF約7%)でエッチングした場合のエッチングレートを、1 nm/sec以上3 nm/sec以下とした。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上にIII族窒化物半導体を用いて形成された第一導電型の半導体層と、前記半導体層上に形成された絶縁膜とを有するIII族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタにおいて、前記絶縁膜である二酸化シリコン(SiO2)を、溶液の濃度が7%でかつ溶液の温度が19°C以上21°C以下のバッファードふっ酸(BHF)溶液でエッチングした場合のエッチングレートを、1 nm/sec以上3 nm/sec以下としたことを特徴とするIII族窒化物半導体を用いた電界効果トランジスタ。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/316

FI (8件)：

H01L29/78 301B , H01L29/78 301G , H01L29/78 618B , H01L29/78 616A , H01L29/78 617M , H01L29/80 H , H01L21/316 X , H01L29/78 617T

Fターム (91件)：

5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BF07 , 5F058BF09 , 5F058BH01 , 5F058BJ01 , 5F102FA00 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GT05 , 5F102GT07 , 5F102GV07 , 5F102HC01 , 5F102HC11 , 5F102HC15 , 5F102HC21 , 5F110AA07 , 5F110CC02 , 5F110DD04 , 5F110DD05 , 5F110DD11 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF02 , 5F110FF05 , 5F110FF30 , 5F110FF31 , 5F110GG04 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG44 , 5F110HJ01 , 5F110HJ13 , 5F110HJ15 , 5F110HJ23 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL11 , 5F110HM12 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN23 , 5F110NN65 , 5F140AA00 , 5F140AA29 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BA06 , 5F140BA17 , 5F140BB15 , 5F140BC12 , 5F140BD06 , 5F140BE10 , 5F140BE16 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF06 , 5F140BF07 , 5F140BF08 , 5F140BG28 , 5F140BG30 , 5F140BG31 , 5F140BG37 , 5F140BH15 , 5F140BH21 , 5F140BJ07 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK15 , 5F140BK18 , 5F140BK21 , 5F140BK23

引用特許：

審査官引用 (4件)

半導体装置とその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-064397 出願人：株式会社豊田中央研究所, トヨタ自動車株式会社
GaN-AlNをベース材料とする高電圧半導体装置の製造方法及び製造された半導体装置
公報種別：公表公報出願番号：特願平9-524138 出願人：フィリップスエレクトロニクスネムローゼフェンノートシャップ
半導体装置及びその作製方法並びに重水素処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-006904 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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